[发明专利]用于碳化硅单晶生长的坩埚盖、坩埚及单晶生长的方法

权利要求书

1.一种用于碳化硅单晶生长的坩埚盖，其特征在于，包括盖体，所述盖体顶部设有空腔，所述空腔内设有调节体，所述调节体顶部设有提拉机构，所述提拉机构带动所述调节体运动。

2.根据权利要求1所述的用于碳化硅单晶生长的坩埚盖，其特征在于，所述空腔为长方体、正方体、倒锥体或半圆体，所述调节体形状与空腔形状相适配。

3.根据权利要求2所述的用于碳化硅单晶生长的坩埚盖，其特征在于，所述空腔为长方体，空腔深度为3～20mm，空腔底部为边长为30～100mm的正方形。

4.根据权利要求1所述的用于碳化硅单晶生长的坩埚盖，其特征在于，所述盖体与调节体的材质相同或不相同。

5.根据权利要求4所述的用于碳化硅单晶生长的坩埚盖，其特征在于，盖体和调节体的材质为石墨、钽或表面镀有碳化钽的石墨。

6.根据权利要求1所述的用于碳化硅单晶生长的坩埚盖，其特征在于，所述调节体的运动方式为上下运动或旋转运动。

7.一种用于碳化硅单晶生长的坩埚，其特征在于，包括权利要求1～6中任一项所述的坩埚盖和坩埚桶，所述坩埚盖和所述坩埚桶盖合后形成一密闭腔室。

8.根据权利要求7所述的用于碳化硅单晶生长的坩埚，其特征在于，所述坩埚桶与所述坩埚盖的材质相同或不同。

9.根据权利要求7所述的用于碳化硅单晶生长的坩埚，其特征在于，所述坩埚桶的材质为石墨、钽或表面镀有碳化钽的石墨。

10.一种碳化硅单晶生长方法，其特征在于，使用权利要求7～9中任一项所述的坩埚，包括以下步骤：

S1，将籽晶粘贴在坩埚盖的底面，坩埚桶内装入碳化硅粉料，将坩埚盖与坩埚桶盖合在一起后放入生长炉的生长腔室内，生长腔室内设有运动机构，将运动机构与调节体顶部的提拉机构连接；

S2，关闭生长腔室，使其密封，将生长腔室抽真空至低于1E-5 TORR，然后通入氩气至生长腔室内压力为300～600TORR，然后升温至2000～2100℃，升温过程中通过运动机构带动提拉机构将调节体完全置于盖体的空腔内；

S3，升温结束后，将调节体升起至完全脱离空腔；

S4，降低生长腔室内压力至生长压力0.5～20TORR，生长30～100h，然后充氩气至生长腔室内压力为400-600TORR；

S5，将调节体完全置于盖体的空腔内，原位退火降温。