[发明专利]一种吸波单元结构

权利要求书

1.一种吸波单元结构，其特征在于，包括：第一介质层及印制于所述第一介质层第一表面的第一透明导体结构层；第二介质层及印制于所述第二介质层第一表面的第二透明导体结构层；第三介质层及印制于所述第三介质层第一表面的透明导体反射层；所述第一介质层与所述第二透明导体结构层之间具有第一间距；所述第二介质层与第三介质层之间具有第二间距；所述第一间距的大小和所述第二间距的大小用于调节吸波单元结构的吸收频带；所述第一介质层、所述第二介质层和所述第三介质层均由聚对笨二甲酸乙二脂PET材料制成。

2.根据权利要求1所述的吸波单元结构，其特征在于，所述第一间距的取值范围为2.34mm-5.34mm；所述第二间距的取值范围为1.46mm-3.46mm。

3.根据权利要求1所述的吸波单元结构，其特征在于，所述第一透明导体结构层包括第一子结构和第二子结构；所述第一子结构包括中心部，及与所述中心部一体成型且向所述透明导体结构层边缘方向延伸的M个第一延伸部和N个第二延伸部，所述M和所述N均为偶数；在所述M个第一延伸部中的任两个相邻的第一延伸部之间具有至少一个所述第二延伸部，每个所述第二延伸部包括至少一个第一条形结构；所述第二子结构包括外框部，及与所述外框部一体成型且向所述中心部方向延伸的第三延伸部，所述第三延伸部包括至少一个第二条形结构；所述第一条形结构和所述第二条形结构间隔排列，相邻的所述第一条形结构和所述第二条形结构相互平行且之间具有第三间距。

4.根据权利要求3所述的吸波单元结构，其特征在于，所述第一延伸部为周期性的弯折带状结构；弯折带的宽度的取值范围为0.2mm-0.6mm；所述外框部为正方形环状结构，所述正方形环状结构的环宽度的取值范围为1.0mm-1.2mm。

5.根据权利要求3所述的吸波单元结构，其特征在于，所述中心部为具有环形开槽的正方形导体膜结构，所述环形开槽与所述正方形导体膜结构的几何中心相同。

6.根据权利要求1所述的吸波单元结构，其特征在于，所述第一透明导体结构层、第二透明导体结构层和所述透明导体反射层均由透明导体材料制成，所述透明导体材料为氧化铟锌IZO材料或氧化烟锡ITO。

7.根据权利要求1所述的吸波单元结构，其特征在于，所述吸波单元为方体结构，所述第一介质层的边长大于所述透明导体结构层的边长；所述第一介质层的边长与所述透明导体结构层的边长的差值的取值范围为1.6mm-1.8mm；所述第一介质层的边长的取值范围为18mm-22mm。

8.根据权利要求1所述的吸波单元结构，其特征在于，所述第二透明导体结构层为正方形环状结构，所述正方形环状结构的环宽度的取值范围为0.5mm-1.5mm。

9.根据权利要求1-8中任一项所述的吸波单元结构，其特征在于，所述第一透明导体结构层的方阻值的取值范围为30Ω-100Ω；所述第二透明导体结构层的方阻值的取值范围为35Ω-1200Ω。

10.根据权利要求1-8中任一项所述的吸波单元结构，其特征在于，所述吸波单元结构为方体结构，所述第二介质层的边长与所述第二透明导体结构层的边长的差值的取值范围为0.5mm-2.5mm。