[发明专利]导电聚合物包覆钼坡莫复合材料的制备方法及其应用

权利要求书

1.导电聚合物包覆钼坡莫复合材料的制备方法，其特征在于，制备方法包括以下步骤：

S1、颗粒尺寸均匀的钼坡莫粉体的制备：将钼坡莫合金粉末通过高能球磨的方式磨成颗粒尺寸均匀的粉末，再将其放入多孔筛，筛选得到颗粒尺寸均匀的钼坡莫超细粉体颗粒；

S2、质子化的聚合物单体制备：将稀盐酸与聚合物单体混合，并用磁力搅拌器不停地搅拌，当油状聚合物单体变成澄清的溶液时停止搅拌，获得质子化的聚合物单体溶液；

S3、导电聚合物包覆钼坡莫复合材料的制备：将所述S1中制得的钼坡莫合金粉体颗粒与S2中获得的质子化的聚合物单体溶液混合，同时用机械搅拌器进行强力搅拌，将过硫酸铵溶液滴加至上述混合液中进行原位化学氧化聚合反应，反应进行12～24小时后停止搅拌，混合液静置0.5～1小时，然后对产物进行洗涤，并通过离心法收集产物，随后将产物放入烘箱进行干燥，最后制得导电聚合物包覆钼坡莫复合材料。

2.根据权利要求1所述的导电聚合物包覆钼坡莫复合材料的制备方法，其特征在于，所述S1中钼坡莫合金的组成成分为镍76％～84％、铁12％～20％和钼2％～6％。

3.根据权利要求1所述的导电聚合物包覆钼坡莫复合材料的制备方法，其特征在于，所述S1中经过多孔筛筛选后得到的钼坡莫粉体颗粒的尺寸范围在0.5～5微米。

4.根据权利要求1所述的导电聚合物包覆钼坡莫复合材料的制备方法，其特征在于，所述S2中聚合物为聚吡咯、聚苯胺、聚噻吩、聚苯撑、聚苯撑乙烯中的某一种或者几种组合。

5.根据权利要求1所述的导电聚合物包覆钼坡莫复合材料的制备方法，其特征在于，所述S2中稀盐酸与聚合物单体的摩尔数量比为1：0.5～3。

6.根据权利要求1所述的导电聚合物包覆钼坡莫复合材料的制备方法，其特征在于，所述S3中机械搅拌器的转头为非磁性构件，且搅拌的速率为500～2000转/分钟。

7.根据权利要求1所述的导电聚合物包覆钼坡莫复合材料的制备方法，其特征在于，所述S3中钼坡莫合金粉体颗粒与质子化聚合物单体溶液的质量比为1～12：1，且过硫酸铵与聚合物单体的摩尔数量比为1：0.5～2。

8.根据权利要求1所述的导电聚合物包覆钼坡莫复合材料的制备方法，其特征在于，所述S3中洗涤的条件为用水和乙醇分别洗涤2～4次，所述S3中离心的条件为6000～10000转/分钟的条件下离心1～3分钟。

9.根据权利要求1所述的导电聚合物包覆钼坡莫复合材料的制备，其特征在于，所述S3中产物的干燥条件为40～90℃下恒温干燥12～36小时。

10.通过权利要求1～9所述制备方法制备得到的导电聚合物包覆钼坡莫复合材料。

11.权利要求10中所述的导电聚合物包覆钼坡莫复合材料在电磁波吸收中的应用。