[发明专利]半导体结构及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：

提供衬底，所述衬底包括相邻的第一区和第二区，且所述第一区和第二区沿第一方向排列；

在所述衬底表面形成若干相互分立的伪栅极结构，且若干所述伪栅极结构沿第二方向平行排列，所述第二方向垂直于第一方向；

在第二区上的伪栅极结构侧壁表面形成保护层；

在第二区上的保护层侧壁表面形成第二侧墙，在第一区上的伪栅极结构侧壁表面形成第一侧墙。

2.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，沿第二方向上，所述伪栅极结构的尺寸范围为5纳米～30纳米。

3.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，沿第二方向上，所述保护层的尺寸范围为1纳米～10纳米。

4.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述保护层的材料包括：氧化硅、氮化硅、或者氮氧化硅。

5.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述保护层的方法包括：在所述第一区上形成掩膜层，且所述掩膜层暴露出所述第二区表面以及位于第二区表面的伪栅极结构的侧壁表面和顶部表面；以所述掩膜层为掩膜，采用类原子层沉积工艺，在第二区表面和位于第二区表面的伪栅极结构的侧壁表面和顶部表面形成保护材料膜；回刻蚀所述保护材料膜，直至暴露出伪栅极结构顶部表面和衬底表面，形成所述保护层；形成所述保护层之后，去除所述掩膜层。

6.如权利要求5所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述类原子层沉积工艺的温度范围为0摄氏度～100摄氏度。

7.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一侧墙和第二侧墙的材料包括：氧化硅、氮化硅、氮碳化硅、氮硼化硅、氮碳氧化硅或氮氧化硅。

8.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一侧墙和第二侧墙的形成方法包括：在所述衬底表面、保护层顶部和侧壁表面、以及伪栅极结构暴露出的表面形成侧墙材料膜；回刻蚀所述侧墙材料膜，直至暴露出伪栅极结构顶部表面、保护层顶部表面以及衬底表面，在第二区上的保护层侧壁表面形成所述第二侧墙，在第一区上的伪栅极结构侧壁表面形成所述第一侧墙。

9.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述伪栅极结构包括：位于部分衬底表面的伪栅介质层和位于伪栅介质层表面的伪栅电极层；所述伪栅介质层的材料包括：氧化硅；所述伪栅电极层的材料包括：多晶硅。

10.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述第一侧墙和第二侧墙之后，还包括：在所述衬底上形成介质层；去除第二区上的伪栅极结构和位于伪栅极结构侧壁表面的保护层，在第二区上的介质层内形成第二开口，去除第一区上的伪栅极结构，在第一区上的介质层内形成第一开口；在所述第一开口内形成第一栅极结构，在所述第二开口内形成第二栅极结构。

11.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一区用于形成NMOS晶体管，所述第二区用于形成PMOS晶体管。

12.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，还包括：形成所述保护层之后，形成所述第一侧墙和第二侧墙之前，对所述衬底表面、保护层表面、以及伪栅极结构表面进行清洗工艺。

13.如权利要求12所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述清洗工艺包括：湿法刻蚀工艺；所述湿法刻蚀工艺的参数包括：采用的刻蚀溶液包括硫酸或者双氧水中的一种或者两种。