[发明专利]一种三维存储器及其制备方法在审
| 申请号： | 201910544684.4 | 申请日： | 2019-06-21 |
| 公开（公告）号： | CN110391250A | 公开（公告）日： | 2019-10-29 |
| 发明（设计）人： | 郭帅 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L27/1157 | 分类号： | H01L27/1157;H01L27/11582 |
| 代理公司： | 北京派特恩知识产权代理有限公司 11270 | 代理人： | 李洋;张颖玲 |
| 地址： | 430074 湖北省武汉市洪山区东*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 三维存储器 栅极层 制备 石墨烯材料 材料特点 叠层结构 发热问题 高导热性 技术难题 交替堆叠 介质层 石墨烯 有效地 制程 | ||
【权利要求书】：
1.一种三维存储器，其特征在于，包括：由栅极层和介质层交替堆叠而成的叠层结构；其中，
所述栅极层的材料包括石墨烯。
2.根据权利要求1所述的三维存储器，其特征在于，所述栅极层包括单层石墨烯层或多层石墨烯层。
3.根据权利要求1所述的三维存储器，其特征在于，所述栅极层包括多层石墨烯层，各石墨烯层之间通过导电性粘结剂连接。
4.根据权利要求1所述的三维存储器，其特征在于，所述栅极层的厚度小于所述介质层的厚度的四分之一。
5.根据权利要求1所述的三维存储器，其特征在于，所述石墨烯中含有掺杂离子。
6.一种三维存储器的制备方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：
提供半导体衬底；
在所述半导体衬底上交替堆叠栅极层和介质层，以形成叠层结构；其中，
所述栅极层的材料包括石墨烯。
7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述栅极层包括单层石墨烯层；或者，所述栅极层包括多层石墨烯层，各石墨烯层之间通过导电性粘结剂连接。
8.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述栅极层的厚度小于所述介质层的厚度的四分之一。
9.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述石墨烯中含有掺杂离子。
10.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：
刻蚀所述叠层结构，形成贯穿所述叠层结构的沟道通孔CH；在所述CH内形成所述三维存储器的沟道结构。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
