[发明专利]OLED显示基板及其制作方法、显示装置在审
申请号: | 201910544755.0 | 申请日: | 2019-06-21 |
公开(公告)号: | CN110137238A | 公开(公告)日: | 2019-08-16 |
发明(设计)人: | 彭利满;刘祺;刘亮亮;王建强;吴岩;杨津 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;鄂尔多斯市源盛光电有限责任公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/56 |
代理公司: | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人: | 许静;张博 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 基板 边缘区域 显示区域 显示装置 产品良率 精细金属 静电释放 使用寿命 支撑结构 掩膜板 蒸镀 制作 生产成本 | ||
本发明提供了一种OLED显示基板及其制作方法、显示装置,属于显示技术领域。其中,OLED显示基板包括显示区域和位于显示区域周边的边缘区域,所述OLED显示基板的边缘区域设置有支撑结构。通过本发明的技术方案,能够避免在蒸镀过程中发生静电释放情况,提高OLED显示基板的产品良率,提高精细金属掩膜板的使用寿命,节省生产成本。
技术领域
本发明涉及显示技术领域,特别是指一种OLED显示基板及其制作方法、显示装置。
背景技术
OLED显示器件为主动发光器件,无需背光源,在制作OLED显示基板时,需要将有机发光材料蒸镀到基板上,在制作完成OLED显示基板后,向OLED显示基板的阳极和阴极输入电流即可使有机发光材料发光。
在蒸镀工艺中,需要利用精细金属掩膜板(Fine Metal Mask,FMM)将有机发光材料蒸镀到基板上,在现有OLED显示基板的制作工艺中,在进行蒸镀时,精细金属掩膜板容易与OLED显示基板的边缘区域形成大片接触,导致在蒸镀过程中易产生静电释放情况,并且在蒸镀过程中,OLED显示基板与精细金属掩膜板会相对移动,摩擦进一步增大静电释放的发生几率,静电释放会造成精细金属掩膜板的破损,进而出现蒸镀异常,影响OLED显示基板的产品良率。
发明内容
本发明要解决的技术问题是提供一种OLED显示基板及其制作方法、显示装置,能够避免在蒸镀过程中发生静电释放情况,提高OLED显示基板的产品良率,提高精细金属掩膜板的使用寿命,节省生产成本。
为解决上述技术问题,本发明的实施例提供技术方案如下:
一方面,提供一种OLED显示基板,所述OLED显示基板包括显示区域和位于显示区域周边的边缘区域,所述OLED显示基板的边缘区域设置有支撑结构。
可选地,所述OLED显示基板的显示区域设置有隔垫物,所述隔垫物的端面与所述支撑结构的端面之间的高度差不大于预设阈值。
可选地,所述隔垫物的端面与所述支撑结构的端面位于同一水平面上。
可选地,至少部分所述支撑结构与所述OLED显示基板的像素界定层采用相同的材料。
可选地,至少部分所述支撑结构与所述OLED显示基板的隔垫物采用相同的材料。
本发明实施例还提供了一种显示装置,包括如上所述的OLED显示基板。
本发明实施例还提供了一种OLED显示基板的制作方法,所述OLED显示基板包括显示区域和位于显示区域周边的边缘区域,所述制作方法包括:
在蒸镀有机发光材料之前,在所述边缘区域形成支撑结构。
可选地,形成所述支撑结构包括:
通过同一次构图工艺形成所述OLED显示基板的像素界定层的图形和所述支撑结构。
可选地,所述OLED显示基板的显示区域设置有隔垫物,形成所述支撑结构包括:
通过同一次构图工艺形成所述隔垫物和所述支撑结构。
可选地,所述OLED显示基板的显示区域设置有隔垫物,形成所述支撑结构包括:
通过同一次构图工艺形成所述OLED显示基板的像素界定层的图形和所述支撑结构的第一部分;
通过同一次构图工艺形成所述隔垫物和所述支撑结构的第二部分,所述第一部分和所述第二部分组成所述支撑结构。
本发明的实施例具有以下有益效果:
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于京东方科技集团股份有限公司;鄂尔多斯市源盛光电有限责任公司,未经京东方科技集团股份有限公司;鄂尔多斯市源盛光电有限责任公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201910544755.0/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:防窥装置和显示装置
- 下一篇:柔性基板、其制备方法、显示面板及显示装置
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的