[发明专利]一种基于IGZO TFT的D触发器电路

权利要求书

1.一种基于IGZO TFT的D触发器电路，包括两个结构相同的纯N型D锁存器，其特征在于：上述两个纯N型D锁存器通过有比结构连接：两个纯N型D锁存器分别为：第一纯N型D锁存器和第二纯N型D锁存器；

第一纯N型D锁存器包括第一场效应管（M1）、第二场效应管（M2）、第三场效应管（M3）、第四场效应管（M4）、第五场效应管（M5）、第六场效应管（M6）、第七场效应管（M7）、第八场效应管（M8）、第九场效应管（M9）、第十场效应管（M10）以及第一反相器（Inv1）；

其中，第一场效应管（M1）的栅极连接Ctrl端子；第一场效应管（M1）的源极同时与第二场效应管（M2）和第四场效应管（M4）的漏极连接；第二场效应管（M2）的源极与第三场效应管（M3）的漏极连接；第四场效应管（M4）的源极与第五场效应管（M5）的漏极连接；第三场效应管（M3）的源极与第五场效应管（M5）的源极连接后接地；第六场效应管（M6）的栅极与第一场效应管（M1）的源极连接；第六场效应管（M6）的漏极与第一场效应管（M1）的漏极连接后与电源连接；第七场效应管（M7）的漏极与第九场效应管（M9）的漏极连接后再与第六场效应管（M6）的源极连接；第七场效应管（M7）的源极与第八场效应管（M8）的漏极连接；第九场效应管（M9）的源极与第十场效应管（M10）的漏极连接；第八场效应管（M8）的源极与第十场效应管（M10）的源极连接后接地；第七场效应管（M7）的漏极与第九场效应管（M9）的漏极之间连接有第一反相器（Inv1）；

其中，第一场效应管（M1）的栅极连接测试信号（Ctrl）；

其中，第二场效应管（M2）的栅极和第七场效应管（M7）的栅极同时连接时钟信号（CK）；

其中，第四场效应管（M4）的栅极和第九场效应管（M9）的栅极同时连接时钟信号的取反信号（CK_n）；

其中，第五场效应管（M5）的栅极和第十场效应管（M10）的栅极同时连接输入信号（D）；

其中，第三场效应管（M3）的栅极、第八场效应管（M8）的栅极以及第一反相器（Inv1）的输出端连接后输出第一信号（Y）；

第二纯N型D锁存器包括第十一场效应管（M11）、第十二场效应管（M12）、第十三场效应管（M13）、第十四场效应管（M14）、第十五场效应管（M15）、第十六场效应管（M16）、第十七场效应管（M17）、第十八场效应管（M18）、第十九场效应管（M19）、第二十场效应管（M20）以及第二反相器（Inv2）；

其中，第十一场效应管（M11）的栅极连接Ctrl端子；第十一场效应管（M11）的源极同时与第十二场效应管（M12）和第十四场效应管（M14）的漏极连接；第十二场效应管（M12）的源极与第十三场效应管（M13）的漏极连接；第十四场效应管（M14）的源极与第十五场效应管（M15）的漏极连接；第十三场效应管（M13）的源极与第十五场效应管（M15）的源极连接后接地；第十六场效应管（M16）的栅极与第十一场效应管（M11）的源极连接；第十六场效应管（M16）的漏极与第十一场效应管（M11）的漏极连接后与电源连接；第十七场效应管（M17）的漏极与第十九场效应管（M19）的漏极连接后再与第十六场效应管（M16）的源极连接；第十七场效应管（M17）的源极与第十八场效应管（M18）的漏极连接；第十九场效应管（M19）的源极与第二十场效应管（M20）的漏极连接；第十八场效应管（M18）的源极与第二十场效应管（M20）的源极连接后接地；第十七场效应管（M17）的漏极与第十九场效应管（M19）的漏极之间连接有第二反相器（Inv2）；

其中，第十一场效应管（M11）的栅极连接测试信号（Ctrl）；

其中，第十二场效应管（M2）的栅极和第十七场效应管（M17）的栅极同时连接时钟信号的取反信号（CK_n）；

其中，第十四场效应管（M14）的栅极和第十九场效应管（M19）的栅极同时连接时钟信号信号（CK）；

其中，第十五场效应管（M15）的栅极和第二十场效应管（M20）的栅极连接后输出第一信号（Y）；

其中，第十三场效应管（M13）的栅极、第十八场效应管（M18）的栅极以及第二反相器（Inv2）的输出端连接后输出第二信号（Q）；

当时钟信号（CK）低电平时第五场效应管（M5）的栅极和第十场效应管（M10）的栅极同时连接输入信号（D），使得输入信号（D）等于第一信号（Y）；在时钟信号（CK）高电平时锁存第一信号，使得第二信号（Q）等于第一信号（Y）。