[发明专利]适用于麦克斯韦应力法BSRM精确建模的气隙细分方法

权利要求书

1.一种适用于麦克斯韦应力法BSRM精确建模的气隙细分方法，其特征在于，所述方法包括如下步骤：

对BSRM定转子非重叠区域的气隙进行划分；

根据气隙划分结果计算气隙平均磁密对应的磁路长度；

气隙划分方法包括：

定义研究的定子齿极为定子2齿，所述定子2齿的顺时针方向相邻的齿极分别为定子1齿和转子1齿，所述定子2齿的逆时针方向相邻的齿极分别为定子3齿和转子2齿；

所述转子1齿、转子2齿和定子2齿完全不重叠时对应的上述各齿极间的气隙区域为定转子非重叠区域；

将所述定子1齿的上沿和定子2齿的下沿包围的气隙区域定义为气隙1；

将所述转子1齿的上沿和齿槽中线包围的气隙区域定义为气隙2；

将所述转子2齿的下沿和齿槽中线包围的气隙区域定义为气隙3；

将所述定子2齿的上沿和定子3齿的下沿包围的气隙区域定义为气隙4；

以气隙平均磁密对应的磁路为分界线分别将所述气隙1划分为气隙s1、气隙x1，所述气隙2划分为气隙s2、气隙x2，气隙3划分为气隙s3、气隙x3，气隙4划分为气隙s4、气隙x4；

以气隙平均磁密对应的磁路为分界线分别将所述气隙s1划分为气隙s1s、气隙s1x，所述气隙x1划分为气隙x1s、气隙x1x，所述气隙s2划分为气隙s2s、气隙s2x，所述气隙x2划分为x2s、x2x，所述气隙s3划分为气隙s3s、气隙s3x，所述气隙x3划分为气隙x3s、气隙x3x，所述气隙s4划分为气隙s4s、气隙s4x，所述气隙x4划分为气隙x4s、气隙x4x；

从所述转子1齿的上齿尖作线平行于定子2齿的下沿，从定子2齿的下齿尖作线平行于转子1齿的上沿，将此两线和转子1齿的上沿、定子2齿的下沿包围的气隙区域定义为主气隙1；

从转子2齿的下齿尖作线平行于定子2齿的上沿，从定子2齿的上齿尖作线平行于转子2齿的下沿，将此两线和定子2齿的上沿、转子2齿的下沿包围的气隙区域定义为主气隙2；

将所述定转子非重叠区域中除主气隙1和主气隙2外的气隙区域定义为边缘气隙。

2.根据权利要求1所述的一种适用于麦克斯韦应力法BSRM精确建模的气隙细分方法，其特征在于，所述气隙1平均磁密对应的磁路长度计算方法包括：

l_m1＝r(|θ|-τ_r)，

式中，l_m1为主气隙1的磁路长度，l_f1为气隙1中对应的边缘气隙磁路长度，τ_r为定、转子齿极弧度，θ为转子1齿转角，r为转子半径，γ为转子1齿与定子1齿不重叠的齿极上任一点的法向量与α轴正方向的夹角；以定子轴心为原点、定子2齿中轴线为α轴、且β轴垂直于α轴建立坐标系，并定义定子轴心往定子2齿方向为α轴正方向；

所述气隙2、气隙3、气隙4的平均磁密对应的磁路长度的计算方法与气隙1平均磁密对应的磁路长度计算方法相同。

3.根据权利要求2所述的一种适用于麦克斯韦应力法BSRM精确建模的气隙细分方法，其特征在于，所述气隙s1平均磁密对应的磁路长度计算方法包括：

式中，θ₁为气隙1平均磁密所在的磁路与转子1齿齿极的交点对应的法向量与α轴正方向的夹角；

所述气隙s1平均磁密对应的磁路长度计算方法同样适合气隙s2、气隙s3、气隙s4平均磁密对应的磁路长度的计算。

4.根据权利要求3所述的一种适用于麦克斯韦应力法BSRM精确建模的气隙细分方法，其特征在于，所述气隙s1s平均磁密对应的磁路长度计算方法包括：

式中，θ_s1为气隙s1平均磁密所在的磁路与转子1齿齿极交点对应的法向量与α轴正方向的夹角；

所述气隙s1s平均磁密对应的磁路长度计算方法同样适合气隙s2s、气隙s3s、气隙s4s平均磁密对应的磁路长度的计算。