[发明专利]一种高后向受激布里渊散射增益的微纳结构片上光声波导

权利要求书

1.一种高后向受激布里渊散射增益的微纳结构片上光声波导，其特征在于，所述波导包括由硫化亚砷材料构成的波导芯(1)，硅包覆层(2)及二氧化硅衬底(3)；所述波导芯(1)制备在二氧化硅衬底(3)上；所述波导芯(1)的材料为硫化亚砷，剖面为矩形；在波导芯(1)中心从上至下开设有一矩形通孔(4)，所述矩形通孔(4)中为空气；所述硅包覆层(2)在外部将波导芯(1)与矩形通孔(4)上、下侧以及波导芯(1)左、右侧对称包覆，使波导芯(1)中心形成一充满空气的矩形通孔，所述硅包覆层(2)的上、下侧包覆层厚度小于左、右侧包覆层厚度。

2.根据权利要求1所述的波导，其特征在于，所述硅包覆层(2)的上、下侧包覆层厚度指硅包覆层(2)在波导芯(1)上、下侧的包覆层厚度，所述硅包覆层的上、下侧包覆层厚度相同；所述硅包覆层(2)的左、右侧包覆层厚度指硅包覆层(2)在波导芯左、右侧的包覆层厚度，所述硅包覆层(2)左、右侧包覆层厚度相同；所述硅包覆层(2)的上、下侧厚度值，为包覆层竖直高度与波导芯(1)竖直高度差值的一半。

3.根据权利要求1所述的波导，其特征在于，所述波导芯(1)为矩形，宽度为180nm，高度为340nm。

4.根据权利要求1所述的波导，其特征在于，所述矩形通孔(4)贯穿于波导芯(1)中，所述矩形通孔(4)的剖面宽度为10nm。

5.根据权利要求1所述的波导，其特征在于，所述硅包覆层(2)的宽度为左、右侧包覆层外边界间距，为450nm；所述硅包覆层(2)的高度为上、下侧包覆层外边界间距，为365nm。

6.根据权利要求1所述的波导，其特征在于，所述二氧化硅衬底(3)的厚度为300nm，宽度为1000nm。

7.根据权利要求1所述的波导，其特征在于，1550nm波长的泵浦光与探测光在该波导中以相反方向传播。