[发明专利]一种UV减粘保护膜及其制备方法有效
申请号: | 201910547510.3 | 申请日: | 2019-06-21 |
公开(公告)号: | CN110256983B | 公开(公告)日: | 2021-07-20 |
发明(设计)人: | 柯跃虎;曾庆明;诸葛锋;宋亦健 | 申请(专利权)人: | 广东硕成科技有限公司 |
主分类号: | C09J7/30 | 分类号: | C09J7/30;C09J7/24;C09J4/06;C09J9/02 |
代理公司: | 上海微策知识产权代理事务所(普通合伙) 31333 | 代理人: | 汤俊明 |
地址: | 512700 广东省韶关市乳源瑶*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 uv 保护膜 及其 制备 方法 | ||
本发明涉及胶黏带技术领域,更具体地,本发明涉及一种UV减粘保护膜及其制备方法。本发明第一个方面提供了一种UV减粘保护膜,依次包括基材层、UV减粘层以及离型膜层;其中,UV减粘层的制备原料包括聚丙烯酸酯、多官能度单体、交联剂、光聚合引发剂、溶剂;其中,聚丙烯酸酯的重均分子量为12万~15万。
技术领域
本发明涉及胶黏带技术领域,更具体地,本发明涉及一种UV减粘保护膜及其制备方法。
背景技术
半导体晶片或基板在贴合切割胶带后将经历分割(切割)成元件小片、切割胶带的延伸(扩展)、将元件小片从切割胶带剥离(拾取,即pick up)等各工序。对于这些工序中使用的切割胶带,期望对切割工序中形成的元件小片(芯片)具有充分的粘合力,同时在拾取工序时粘合力减小至不产生残胶的程度。
作为切割胶带,有如下的切割胶带:在对紫外线和/或电子束等活性光线具有透射性的基材膜上涂布有由紫外线等引起聚合固化反应的粘合剂层。该切割胶带采取如下方法:在切割工序后对粘合剂层照射紫外线等使粘合剂层聚合固化而使粘合力降低后,拾取分割成的芯片
但在实际应用过程中,为提高加工器件的拾取性能,会造成初粘力与剥离强度较低,容易出现脱落;当紫外固化之后,较难实现压敏剂容易脱落,对被粘接物不会造成污染;同时实现被粘接物与压敏剂之间有一定的粘度,不会使被粘接物松动、脱落而造成物件崩裂、飞溅现象。
发明内容
为解决上述技术问题,本发明第一个方面提供了一种UV减粘保护膜,依次包括基材层、UV减粘层以及离型膜层;其中,UV减粘层的制备原料包括聚丙烯酸酯、多官能度单体、交联剂、光聚合引发剂;其中,聚丙烯酸酯的重均分子量为12万~15万。
作为本发明的一种优选技术方案,其中,按重量份计,UV减粘层的制备原料包括35~60份聚丙烯酸酯、5~30份多官能度单体、0.1~2.5份交联剂、0.1~1.5份光聚合引发剂。
作为本发明的一种优选技术方案,其中,聚丙烯酸酯的粘度为1000~3000cps。
作为本发明的一种优选技术方案,其中,多官能度单体选自二丙烯酸乙二醇酯、二丙烯酸三甘醇酯、二丙烯酸三丙二醇酯、三羟甲基丙烷三丙烯酸酯、(甲基)丙烯酸2-羟基丙酯、3-(4-羟基-2-甲基苯基)-2-丙烯酸、5-(3,4-二羟基苯基)-2,4-戊二烯酸、3-羟基辛-7-烯酸、2,3-二羟基丙基丙烯酸酯、3-羟基-4-戊烯酸叔丁酯中的任一种或多种的组合。
作为本发明的一种优选技术方案,其中,多官能度单体的碳原子为8~15。
作为本发明的一种优选技术方案,其中,多官能度单体为3-羟基-4-戊烯酸叔丁酯与3-羟基辛-7-烯酸。
作为本发明的一种优选技术方案,其中,UV减粘层的制备原料还包括抗静电剂。
作为本发明的一种优选技术方案,其中,基材层的厚度为50~70μm,UV减粘层的厚度为5~15μm,离型膜层的厚度为5~10μm。
作为本发明的一种优选技术方案,其中,基材选自聚氯乙烯、聚对苯二甲酸乙二醇酯、乙酸-乙酸乙烯酯共聚物、乙烯-丙烯酸-丙烯酸酯膜、乙烯-丙烯酸乙酯共聚物、聚乙烯、聚丙烯、丙烯系共聚物、乙烯-丙烯酸共聚物、以及乙烯-(甲基)丙烯酸共聚物、乙烯-(甲基)丙烯酸-(甲基)丙烯酸酯共聚物中的任一种或多种的组合。
本发明的第二个方面提供了所述UV减粘保护膜的制备方法,将UV减粘层的制备原料涂布于基材表面,烘干;再于减粘层表面贴合离型膜层,即得所述UV减粘保护膜。
与现有技术相比,本发明提供的保护膜具有优异的粘合力,UV照射前具有高粘合力,剥离力高,UV照射后具有低粘合力,UV剥离力低,抗静电效果好。
具体实施方式
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