[发明专利]反向偏压调整器有效
申请号: | 201910547963.6 | 申请日: | 2019-06-24 |
公开(公告)号: | CN112130614B | 公开(公告)日: | 2021-11-02 |
发明(设计)人: | 中冈裕司 | 申请(专利权)人: | 华邦电子股份有限公司 |
主分类号: | G05F1/625 | 分类号: | G05F1/625 |
代理公司: | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人: | 罗英;臧建明 |
地址: | 中国台湾台*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 反向 偏压 调整器 | ||
本发明提供一种反向偏压调整器。反向偏压调整器包括操作电压产生电路以及电压调整电路。操作电压产生电路依据烧机测试信号、电源启动信号以及反向偏压致能信号以产生操作电压。其中在正常操作模式时,操作电压为第一电压值,在烧机测试模式时,操作电压为第二电压值,其中第二电压值小于第一电压值。电压调整电路具有开关,在烧机测试模式下的初始时间区间,电压调整电路通过导通开关以调整反向偏压的电压值。
技术领域
本发明涉及一种偏压调整器,尤其涉及一种用于存储器中的反向偏压调整器。
背景技术
在现有的存储器技术中,存储器通常会通过烧机测试(Burnin-Test)来测试自身的稳定状态。并且,存储器可通过提供反向偏压至存储单元阵列(Memory Cell Array)中的各个晶体管的基体端,以对各个晶体管进行操作动作。
然而,当存储器操作于烧机测试模式时,这些晶体管容易受到所述反向偏压及电源电压的电压值影响,导致各个晶体管的源极端与漏极端之间的电压差容易超出额定的电压范围,进而严重影响存储器整体的运作。因此,如何在存储器操作于烧机测试模式时,有效地降低各个晶体管的源极端与漏极端之间的电压差,避免这些晶体管发生损毁的情形,是本领域的重要课题。
发明内容
本发明提供一种反向偏压调整器,可以在操作于烧机测试模式时,利用操作电压产生器来降低操作电压的电压值,以使电压调整电路可依据调整后的操作电压来进一步调整反向偏压的电压值。
本发明的反向偏压调整器包括操作电压产生电路以及电压调整电路。操作电压产生电路依据烧机测试信号、电源启动信号以及反向偏压致能信号以产生操作电压,其中在正常操作模式时,操作电压为第一电压值,在烧机测试模式时,操作电压为第二电压值,其中第二电压值小于第一电压值。电压调整电路耦接至操作电压产生电路,具有开关,开关耦接在参考接地电压以及反向偏压的传输轨线间,在烧机测试模式下的初始时间区间,电压调整电路通过导通开关以调整反向偏压的电压值。
基于上述,本发明的反向偏压调整器可以在烧机测试模式中的初始时间区间时,利用操作电压产生电路来提供具有比第一电压值更小的第二电压值的操作电压。如此一来,电压调整电路可依据被拉低的操作电压以及电源启动信号,以使反向偏压的电压电平能够维持于参考接地电压的电压电平,进而有效地降低存储单元阵列中的各个晶体管的源极端与漏极端之间的电压差,藉以避免这些晶体管发生损毁的情形。
为让本发明的上述特征和优点能更明显易懂,下文特举实施例,并配合附图作详细说明如下。
附图说明
图1是依照本发明一实施例的反向偏压调整器的示意图;
图2是依照本发明图1中的操作电压产生电路的电路图;
图3是依照本发明图1中的电压调整电路的电路图;
图4是依照本发明一实施例的反向偏压调整器在正常操作模式下的波形示意图;
图5是依照本发明一实施例的反向偏压调整器在烧机测试模式下的波形示意图。
附图标记说明
100:反向偏压调整器
110:操作电压产生电路
111:逻辑电路
112:上拉电路
113:下拉电路
120:电压调整电路
121:缓冲器
122:感测放大器
130:反向偏压产生电路
401~405、501~505:波型
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