[发明专利]一种面板显示器及其制备方法在审
申请号: | 201910548047.4 | 申请日: | 2019-06-24 |
公开(公告)号: | CN110459547A | 公开(公告)日: | 2019-11-15 |
发明(设计)人: | 陈宇怀;苏智昱;黄志杰;宋爽;李元行;阮桑桑 | 申请(专利权)人: | 福建华佳彩有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L27/32;H01L51/52;H01L51/56;H01L21/77 |
代理公司: | 35214 福州市博深专利事务所(普通合伙) | 代理人: | 张明<国际申请>=<国际公布>=<进入国 |
地址: | 351100福*** | 国省代码: | 福建;35 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 封装玻璃 显示层 面板显示器 玻璃盖板 触控模组 触控线路 有效减少 偏光片 触控 微电子技术领域 阴极 玻璃基板 方案设计 工艺难度 依次设置 噪音干扰 光学胶 灵敏度 内嵌式 上表面 透光性 基板 内置 制程 制备 | ||
1.一种面板显示器,其特征在于,包括玻璃盖板,在所述玻璃盖板表面依次层叠设有偏光片和显示层;
所述显示层包括基板和触控模组层,所述触控模组层内置于所述封装玻璃层中,在所述基板表面依次层叠设有触控线路层和封装玻璃层,所述触控模组层包括TFT线路层和有机发光层;
所述TFT线路层包括缓冲层,在所述缓冲层表面依次层叠设有第一金属层、栅极绝缘层、有源层、蚀刻阻挡层、第二金属层、钝化层、有机平坦层、第三金属层、画素定义层和间隙层,所述蚀刻阻挡层上设有两个第一过孔,所述第二金属层填充于所述第一过孔中且与所述有源层远离缓冲层的一侧面接触,所述钝化层上设有一第二过孔,所述有机平坦层上设有一第三过孔,所述第二过孔与所述第三过孔相对位置设置且相通,所述第三金属层分别填充于所述第二过孔和第三过孔中且与第二金属层远离缓冲层的一侧面接触,所述画素定义层上设有一第四过孔,所述有机发光层填充于所述第四过孔中且与所述第三金属层远离缓冲层的一侧面接触。
2.根据权利要求1所述的面板显示器,其特征在于,所述TFT线路层为自对准TFT或双栅极TFT。
3.根据权利要求1所述的面板显示器,其特征在于,所述有机发光层为底发光式AMOLED或双面发光式AMOLED。
4.根据权利要求1所述的面板显示器,其特征在于,所述触控线路层为投射式电容触控或电容式触控。
5.一种权利要求1所述的面板显示器的制备方法,包括以下步骤:
S1、提供一玻璃盖板,且在所述玻璃盖板上覆盖有偏光片;
S2、形成一基板,且覆盖于所述偏光片表面;
S3、形成一触控线路层,且覆盖于所述基板表面;
S4、形成一封装玻璃层,且覆盖于所述触控线路层表面,在封装玻璃层内形成TFT线路层和有机发光层,所述有机发光层覆盖于所述TFT线路层表面。
6.根据权利要求5所述的面板显示器的制备方法,步骤S4具体为:
S41、形成一封装玻璃层,且覆盖于所述触控线路层表面;
S42、在封装玻璃层内形成一缓冲层,且在所述缓冲层上覆盖有第一金属层;
S43、形成一栅极绝缘层,覆盖于所述第一金属层表面且与缓冲层接触;
S44、形成一有源层,且覆盖于所述栅极绝缘层表面;
S45、形成一蚀刻阻挡层,且覆盖于所述有源层表面;
S46、于所述蚀刻阻挡层中形成两个第一过孔,在第一过孔中形成第二金属层,且第二金属层与有源层远离缓冲层的一侧面接触;
S47、形成一钝化层,覆盖于所述第二金属层表面且与蚀刻阻挡层远离缓冲层的一侧面接触;
S48、于所述钝化层中形成一第二过孔;
S49、形成一有机平坦层,覆盖于所述钝化层表面且与第二金属层远离缓冲层的一侧面接触;
S410、于所述有机平坦层中且相对第二过孔的位置形成一第三过孔,分别在第二过孔和第三过孔中形成第三金属层,且第三金属层与第二金属层远离缓冲层的一侧面接触;
S411、形成一画素定义层,覆盖于所述第三金属层表面且与有机平坦层远离缓冲层的一侧面接触;
S412、在所述画素定义层中形成一第四过孔;
S413、形成一间隙层,且覆盖于画素定义层表面;
S414、在第四过孔中形成有机发光层,且有机发光层与第三金属层远离缓冲层的一侧面接触。
7.根据权利要求6所述的面板显示器的制备方法,其特征在于,还包括以下步骤:
形成一阴极金属层,覆盖于间隙层表面且分别与画素定义层远离缓冲层的一侧面和有机发光层远离缓冲层的一侧面接触。
8.根据权利要求7所述的面板显示器的制备方法,其特征在于,所述阴极金属层为高反射率金属。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的