[发明专利]温度控制装置、温度控制方法及干法刻蚀机有效
申请号: | 201910548392.8 | 申请日: | 2019-06-24 |
公开(公告)号: | CN110347196B | 公开(公告)日: | 2021-04-02 |
发明(设计)人: | 董磊磊 | 申请(专利权)人: | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 |
主分类号: | G05D23/20 | 分类号: | G05D23/20;H01J37/32 |
代理公司: | 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) 44300 | 代理人: | 黄威 |
地址: | 430079 湖北省武汉市东湖新技术*** | 国省代码: | 湖北;42 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 温度 控制 装置 方法 刻蚀 | ||
1.一种温度控制装置,用于干法刻蚀机,其特征在于,所述温度控制装置包括:
传感单元,所述传感单元包括:第一传感单元、第二传感单元、第三传感单元和光谱收集单元;其中,所述第一传感单元对干法刻蚀机内部反应的尾气进行监测并收集温度数据,所述第二传感单元对干法刻蚀机壁内温度进行监测并收集温度数据,所述第三传感单元对温度冷却器进出口进行监测并收集温度数据,所述光谱收集单元对干法刻蚀机内的反应过程中产生的光谱进行监测并收集温度数据;
计算单元,所述计算单元结合所述第一传感单元、所述第二传感单元、所述第三传感单元和所述光谱收集单元收集到的温度数据进行计算,并得到工艺温度值;
设置单元,所述设置单元设定工艺过程中的温度预设值或温度预设值的可变范围,以及接受所述工艺温度值,并判断是否超出所述温度预设值或所述温度预设值的可变范围,发出超出信号;以及,
控制单元,所述控制单元通过控制温度冷却器的运行与停止进行温度调整,并在接受到所述设置单元的超出信号后,控制温度冷却器进行温度调整;
其中,所述工艺温度值为第一工艺温度值和第二工艺温度值之和的平均值;
所述第一工艺温度值为所述第一传感单元收集到的温度数据和所述光谱收集单元收集到的温度数据之和的平均值;所述第二工艺温度值为所述第二传感单元收集到的温度数据和所诉第三传感单元收集到的温度数据之和的加权平均值。
2.根据权利要求1所述的温度控制装置,其特征在于,所述第一传感单元设置在干法刻蚀机的排气装置上。
3.根据权利要求1所述的温度控制装置,其特征在于,所述第二传感单元设置在干法刻蚀机的机台壁内。
4.根据权利要求1所述的温度控制装置,其特征在于,所述第三传感单元设置在温度冷却器进出口。
5.根据权利要求1所述的温度控制装置,其特征在于,所述光谱收集单元设置在干法刻蚀机内。
6.一种温度控制方法,采用权利要求1至5中任一项所述的温度控制装置,其特征在于,包括以下步骤:
收集干法刻蚀机内的反应过程中产生的温度数据;
收集干法刻蚀机内部反应的尾气的温度数据;
收集干法刻蚀机壁内的温度数据;
收集温度冷却器进出口的温度数据;
结合上述温度数据计算出工艺温度值;
判断所述工艺温度值是否超出温度预设值或温度预设值的可变范围;
发出超出信号;
接受超出信号并控制温度冷却器进行温度调整。
7.一种干法刻蚀机,其特征在于,所述干法刻蚀机采用权利要求1至5中任一项的所述温度控制装置。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于武汉华星光电半导体显示技术有限公司,未经武汉华星光电半导体显示技术有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201910548392.8/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。