[发明专利]存储器设备和编程方法

说明书

公开了一种存储器设备。该存储器设备包括：包括目标单元的存储单元阵列；驱动字线的行解码器；以及被配置为驱动位线和源极线的写入驱动器与感测放大器。行解码器被配置为在第一编程操作和第二编程操作中驱动字线。在第一编程操作开始和第二编程操作结束之间，写入驱动器与感测放大器被配置为连续地用第二驱动电压驱动连接到目标单元的位线或用第三驱动电压驱动连接到目标单元的源极线。

相关申请的交叉引用

本申请要求于2018年6月29日在韩国知识产权局提交的第10-2018-0075896号韩国专利申请的优先权，其公开内容通过引用整体并入本文。

技术领域

本发明构思涉及半导体设备，更具体地，涉及磁性存储器设备的编程方法。

背景技术

随着时间推移，对可以高度集成且具有大存储容量的非易失性半导体存储器设备的需求不断增加。非易失性存储器设备的代表性示例是在便携式电子设备中使用的闪存存储器。然而，在制作可随机存取的且具有改进的性能的非易失性元件方面存在积极开发。这样的非易失性元件的代表性示例是使用隧道磁阻(TMR)层的磁随机存取存储器(MRAM)。

通常，当在对MRAM执行编程操作时在增加写入电压的情况下写入错误率降低。然而，由于制造工艺问题，存在即使写入电压增加写入错误率也不会降低的缺陷存储单元的增加。关于缺陷存储单元，写入错误率的降低对于增加制造的存储器设备的量(即，对于增加产量)以及对于改进存储器设备的可靠性会是重要的。

发明内容

本发明构思的实施例提供了一种用于减少磁性存储器设备的写入错误率的编程方法。

根据示例实施例，一种存储器设备包括：包括目标单元的存储单元阵列；行解码器，被配置为在第一编程操作和第二编程操作中用第一驱动电压驱动连接到目标单元的字线；以及写入驱动器与感测放大器。在第一编程操作开始和第二编程操作结束之间，写入驱动器与感测放大器被配置为连续地用第二驱动电压驱动连接到目标单元的位线或用第三驱动电压驱动连接到目标单元的源极线。

根据示例实施例，一种用于编程可变电阻存储单元的方法包括：通过对可变电阻存储单元连续地执行的、但在时间上分开的第一编程操作和第二编程操作，持续维持位线电压和源极线电压。

根据示例实施例，一种存储器设备包括：控制逻辑，被配置为基于时钟信号和命令生成行控制信号和列控制信号；分频器，被配置为使时钟信号分频；包括目标单元的存储单元阵列；行解码器，被配置为在第一编程操作和第二编程操作中基于行控制信号和分频的时钟信号来用第一驱动电压驱动连接到目标单元的字线；以及写入驱动器与感测放大器。在第一编程操作和第二编程操作中，基于列控制信号和分频的时钟信号，写入驱动器与感测放大器被配置为用第二驱动电压驱动连接到目标单元的位线或用第三驱动电压驱动连接到目标单元的源极线。

附图说明

通过参考附图详细描述本发明构思的示例性实施例，本发明构思的上述和其他目的和特征将变得清楚。

图1是示出根据本发明构思的示例实施例的存储器设备的配置的图。

图2A是示出图1的存储单元阵列的实施例的图。

图2B是示出图1的存储单元阵列的另一实施例的图。

图3是示出图1的写入驱动器与感测放大器的示例配置的图。

图4是示出图1的存储单元阵列中包括的存储单元的示例配置的图。

图5和图6是示出根据本发明构思的示例实施例的、依照存储在图4的存储单元中的数据而确定的磁隧道结(MTJ)元件的磁化方向的图。

图7是示出根据本发明构思的示例实施例的、与图4的存储单元相关联的写入操作的图。

图8是示出根据本发明构思的示例实施例的编程方法的流程图。