[发明专利]自动降籽晶过程中自动定位至原生籽晶处终止下降的方法在审
| 申请号： | 201910550109.5 | 申请日： | 2019-06-24 |
| 公开（公告）号： | CN110257903A | 公开（公告）日： | 2019-09-20 |
| 发明（设计）人： | 王鑫;皇甫亚楠;杨志;周泽;王建平;王林;徐强;高润飞;谷守伟 | 申请（专利权）人： | 内蒙古中环协鑫光伏材料有限公司 |
| 主分类号： | C30B15/20 | 分类号： | C30B15/20;C30B15/26;C30B15/30;C30B29/06 |
| 代理公司： | 天津诺德知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 12213 | 代理人： | 栾志超 |
| 地址： | 010070 内蒙古自*** | 国省代码： | 内蒙古;15 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 籽晶 硅溶液 熔接 自动定位 籽晶处 测量装置 工业相机 工作效率 极限位置 液面接触 液面处 慢速 测量 检测 节约 | ||
1.自动降籽晶过程中自动定位至原生籽晶处终止下降的方法，其特征在于：包括以下步骤，
S1：籽晶快速降至硅溶液上方的极限位置；
S2：所述籽晶慢速降至所述硅溶液液面处，所述籽晶与所述硅溶液液面接触；
S3：测量装置测量所述籽晶的熔接直径，当所述熔接直径达到下限值时，停止下降。
2.根据权利要求1所述的自动降籽晶过程中自动定位至原生籽晶处终止下降的方法，其特征在于：所述步骤S3具体为，
当所述籽晶与所述硅溶液液面接触时，所述测量装置开始测量所述籽晶的熔接直径，并根据测量的熔接直径，进行下降距离的选择，根据所述下降距离进行下降；
当所述籽晶的熔接直径达到第一直径时，进行第一下降距离的选择，根据所述第一下降距离，进行下降；以及
重复上述步骤，直至所述籽晶的熔接直径达到所述下限值时，停止下降。
3.根据权利要求1或2所述的自动降籽晶过程中自动定位至原生籽晶处终止下降的方法，其特征在于：所述步骤S1中的所述极限位置为所述籽晶快速下降的最低距离，所述极限位置为200-260mm。
4.根据权利要求3所述的自动降籽晶过程中自动定位至原生籽晶处终止下降的方法，其特征在于：所述步骤S2中慢速下降为以恒定的速度下降，所述恒定的速度为400-600mm/hr。
5.根据权利要求4所述的自动降籽晶过程中自动定位至原生籽晶处终止下降的方法，其特征在于：步骤S3籽晶的熔接直径变化范围为5-15mm。
6.根据权利要求5所述的自动降籽晶过程中自动定位至原生籽晶处终止下降的方法，其特征在于：所述步骤S3中籽晶的下降距离变化范围为70-0mm。
7.根据权利要求4-6任一项所述的自动降籽晶过程中自动定位至原生籽晶处终止下降的方法，其特征在于：所述籽晶的熔接直径下限值为10-16mm。
8.根据权利要求7所述的自动降籽晶过程中自动定位至原生籽晶处终止下降的方法，其特征在于：所述步骤S3中所述籽晶以恒定速度下降。
9.一种自动降籽晶过程中自动定位至原生籽晶处终止下降的系统，其特征在于：包括控制装置、测量装置、籽晶夹具、籽晶电压测量装置和旋转提升装置，
所述测量装置用于测量籽晶的直径，所述测量装置设于单晶炉上；
所述旋转提升装置与所述控制装置电连接，所述旋转提升装置与所述籽晶夹具连接，所述籽晶夹具用于夹持所述籽晶，所述旋转提升装置用于带动籽晶进行旋转的同时进行上升和下降；
所述籽晶电压测量装置与所述控制装置电连接，所述籽晶电压测量装置用于测量所述籽晶的电压变化，用于判断所述籽晶是否与所述硅溶液的液面接触；
所述控制装置用于控制所述旋转提升装置、所述籽晶电压测量装置与所述测量装置的动作。
10.根据权利要求9所述的自动降籽晶过程中自动定位至原生籽晶处终止下降的方法，其特征在于：所述测量装置为CCD工业相机，所述籽晶电压测量装置为电压传感器。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于内蒙古中环协鑫光伏材料有限公司，未经内蒙古中环协鑫光伏材料有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201910550109.5/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种单晶硅棒加工装置
- 下一篇：一种可移动式紧凑型超高真空镀膜系统及对接方法
