[发明专利]金属纳米光栅及其纳米压印制备方法和显示装置在审
| 申请号： | 201910550331.5 | 申请日： | 2019-06-24 |
| 公开（公告）号： | CN110333565A | 公开（公告）日： | 2019-10-15 |
| 发明（设计）人： | 刘凡成 | 申请（专利权）人： | 武汉华星光电技术有限公司 |
| 主分类号： | G02B5/18 | 分类号： | G02B5/18 |
| 代理公司： | 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) 44300 | 代理人： | 黄威 |
| 地址： | 430079 湖北省武汉市*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 刻蚀 光栅 金属纳米 纳米光栅 纳米压印 显示装置 硬掩膜层 压印胶 残胶 制备 干法刻蚀工艺 纳米图形结构 半导体光栅 刻蚀选择比 光栅沟槽 光子晶体 可重复性 刻蚀条件 图形结构 胶掩膜 可控性 深宽比 掩膜层 硬掩膜 胶层 去除 平整 精细 图像 制作 保证 | ||
1.一种金属纳米光栅的纳米压印制备方法，其特征在于，所述金属纳米光栅的纳米压印制备方法包括：
步骤一，提供具有第一纳米压印图形的第一模板；
步骤二，提供基片、位于所述基片上的金属层和位于所述金属层上的压印胶层；以及
步骤三，根据所述第一模板对所述压印胶层进行压印，使得所述压印胶层形成与所述第一纳米压印图形相对应的纳米图案；
步骤四，以所述纳米图案为掩模版对所述金属层进行刻蚀，以形成金属纳米光栅，其中包括在所述纳米图案上沉积第一掩膜层，根据所述第一掩膜层对所述金属层进行刻蚀。
2.如权利要求1所述的金属纳米光栅的纳米压印制备方法，其特征在于，所述步骤一包括：
步骤a：通过光刻工艺，制作第二模板，使得所述第二模板包括第二纳米压印图形；以及
步骤b：根据所述第二模板对所述第一模板进行压印，使得所述第一模板包括所述第一纳米压印图形，其中，所述第一模板的硬度比所述第二模板低。
3.如权利要求3所述的金属纳米光栅的纳米压印制备方法，其特征在于，所述第二模板为硬模版，以及所述第一模板为软模板。
4.如权利要求1所述的金属纳米光栅的纳米压印制备方法，其特征在于，在步骤三中，根据所述第一模板对所述压印胶层进行压印的方法包括：紫外光曝光。
5.如权利要求1所述的金属纳米光栅的纳米压印制备方法，其特征在于，在步骤四中，以所述纳米图案为掩模版对所述金属层进行刻蚀的方法选自下列至少一者：反应离子刻蚀及感应等离子刻蚀。
6.如权利要求1所述的金属纳米光栅的纳米压印制备方法，其特征在于，在步骤四中，在所述纳米图案上沉积第一掩膜层的方法选自下列至少一者：磁控溅射、低温化学气相沉积。
7.如权利要求1所述的金属纳米光栅的纳米压印制备方法，其特征在于：在所述步骤四之后，所述方法还包括：利用湿蚀刻的方法去除剩余的所述压印胶层。
8.如权利要求1所述的金属纳米光栅的纳米压印制备方法，其特征在于，所述的金属层的厚度在10nm-100nm。
9.一种利用权利要求1-8任一项所述金属纳米光栅的纳米压印制备方法制备的金属纳米光栅。
10.一种显示装置，包括利用权利要求1-8任一项所述金属纳米光栅的纳米压印制备方法制备的金属光栅。
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