[发明专利]一种MicroLED芯片的转移方法

权利要求书

1.一种MicroLED芯片的转移方法，其特征在于：具体步骤如下：

S1、制作MicroLED晶圆，所述晶圆包括基板以及排列于该基板表面上的MicroLED芯片，并在MicroLED芯片上形成金属电极，在所述MicroLED芯片电极侧胶合ACF胶；

S2、将MicroLED晶圆通过ACF胶侧粘合到临时基板上；

S3、剥离MicroLED晶圆基板，将MicroLED晶圆切割为MicroLED单芯片，所述 ACF 胶也被一并切割；

S4、将MicroLED单芯片与临时基板解胶，转移MicroLED单芯片至TFT基板,使MicroLED的电极侧ACF胶与TFT的电极实现对位，再通过对压头的加热和压力实现，MicroLED的电极与TFT的电极的电性连接。

2.根据权利要求1所述的转移方法，其特征在于，MicroLED 晶圆制作按下述步骤：首先，通过金属有机物化学气相沉积设备在晶圆基板上制备出MicroLED的各类晶层，包括：GaN 缓冲层、n型GaN、多量子阱层（MQW）发光层和P型GaN；再在晶圆上形成ITO电流扩展层以及金属电极层，通过感应耦合等离子体蚀刻（ICP）工艺制作电极，得到具有电极的MicroLED晶圆；然后，MicroLED晶圆中每个MicroLED的电极侧胶合ACF胶。

3.根据权利要求2所述的转移方法，其特征在于，所述晶圆基板是Al2O3基板。

4.根据权利要求2所述的转移方法，其特征在于，所述晶圆基板是氮化镓基板、氮化铝基板，或硅基板。

5.根据权利要求2所述的转移方法，其特征在于，所述晶圆基板是砷化镓基板。

6.根据权利要求2所述的转移方法，其特征在于，S1步骤中所述晶圆基板是碳化硅基板。

7.根据权利要求1所述的转移方法，其特征在于，S3步骤中所述剥离MicroLED晶圆基板，是通过在晶圆基板侧照射激光，实现晶圆基板剥离。

8.根据权利要求1所述的转移方法，其特征在于，S4步骤中所述临时基板解胶是通过紫外光照射解胶。

9.根据权利要求1所述的转移方法，其特征在于，所述晶圆是2吋或4吋。