[发明专利]解决SRAM单元器件金属硅化物缺陷形成的方法

权利要求书

1.一种解决SRAM单元器件金属硅化物缺陷形成的方法，其特征在于，包括如下步骤：

步骤S1，形成MOSFET结构；

步骤S2，形成栅极侧墙，所述栅极侧墙包括侧墙氮化硅层和侧墙氧化层，且所述侧墙氮化硅层位于所述侧墙氧化层外侧；

步骤S3，进行源漏极离子注入；

步骤S4，采用应力记忆技术工艺沉积缓冲氧化层和高应力氮化硅层，并进行退火；

步骤S5，去除高应力氮化硅层和缓冲氧化层；

步骤S6，去除侧墙氮化硅层；

步骤S7，沉积SAB氧化层；

步骤S8，生长SAB氮化硅层；

步骤S9，进行SAB光刻和刻蚀工艺，形成新的侧墙氮化硅层，且所述新的侧墙氮化硅层厚度小于步骤S2中的侧墙氮化硅层厚度；

步骤S10，形成金属硅化物。

2.根据权利要求1所述的解决SRAM单元器件金属硅化物缺陷形成的方法，其特征在于，在步骤S6中，使用磷酸去除侧墙氮化硅层。

3.根据权利要求1所述的解决SRAM单元器件金属硅化物缺陷形成的方法，其特征在于，在步骤S8中，采用炉管或原子层沉积工艺生长SAB氮化硅层。

4.根据权利要求3所述的解决SRAM单元器件金属硅化物缺陷形成的方法，其特征在于，所述SAB氮化硅层的厚度为120埃～250埃。

5.根据权利要求1所述的解决SRAM单元器件金属硅化物缺陷形成的方法，其特征在于，在步骤S7中，采用化学气相沉积工艺生长SAB氧化层。

6.根据权利要求1所述的解决SRAM单元器件金属硅化物缺陷形成的方法，其特征在于，在步骤S4中，退火的温度为1010℃～1050℃。

7.根据权利要求1所述的解决SRAM单元器件金属硅化物缺陷形成的方法，其特征在于，在步骤S5中，使用磷酸去除高应力氮化硅层，使用氢氟酸去除缓冲氧化层。

8.根据权利要求1所述的解决SRAM单元器件金属硅化物缺陷形成的方法，其特征在于，在步骤S9中，利用SAB光罩通过光刻和刻蚀定义SAB覆盖区域，非SAB覆盖区域的栅极侧壁形成栅极侧墙。

9.根据权利要求8所述的解决SRAM单元器件金属硅化物缺陷形成的方法，其特征在于，所述SAB覆盖区域包括SAB电阻、肖特基二极管、LDMOS。

10.根据权利要求1所述的解决SRAM单元器件金属硅化物缺陷形成的方法，其特征在于，所述方法用于技术节点为20nm～40nm的CMOS工艺中。

11.根据权利要求1所述的解决SRAM单元器件金属硅化物缺陷形成的方法，其特征在于，在步骤S2中，形成栅极侧墙的步骤如下：

步骤S21，在MOSFET结构的栅极上沉积氧化层；

步骤S22，在氧化层上沉积氮化硅层；

步骤S23，采用等离子体刻蚀工艺对氮化硅层进行垂直于硅衬底表面方向的定向刻蚀，形成侧墙氮化硅层；

步骤S24，采用氢氟酸对氧化层进行刻蚀去除，形成环绕栅极的栅极侧墙。

12.根据权利要求1所述的解决SRAM单元器件金属硅化物缺陷形成的方法，其特征在于，在步骤S1中，提供一硅衬底，所述硅衬底分为PMOS区域和NMOS区域，在PMOS区域和NMOS区域之上分别形成栅极。

13.根据权利要求1所述的解决SRAM单元器件金属硅化物缺陷形成的方法，其特征在于，在步骤S10之后，进行接触孔、铜互连工艺形成完整的器件结构。