[发明专利]新型MRAM中铜互联上底电极的制备方法在审
| 申请号： | 201910552556.4 | 申请日： | 2019-06-25 |
| 公开（公告）号： | CN112133821A | 公开（公告）日： | 2020-12-25 |
| 发明（设计）人： | 刘鲁萍;蒋信;王雷 | 申请（专利权）人： | 中电海康集团有限公司;浙江驰拓科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L43/12 | 分类号： | H01L43/12;H01L43/02;H01L43/08 |
| 代理公司： | 北京兰亭信通知识产权代理有限公司 11667 | 代理人： | 赵永刚 |
| 地址： | 311121 浙江省杭州*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 新型 mram 中铜互联上底 电极 制备 方法 | ||
1.一种新型MRAM中铜互联上底电极的制备方法，其特征在于，包括：
提供一基底，所述基底包括依次堆叠设置的金属互联层、第一阻挡层以及介电层，在所述第一阻挡层及介电层中形成有底部通孔，所述底部通孔与所述金属互联层相连；
在所述基底表面依次沉积第二阻挡层和铜层，所述铜层充满所述底部通孔；
以所述第二阻挡层作为抛光终点，对所述铜层进行化学机械抛光，并在检测到所述第二阻挡层后进行过抛光，以完全去除所述第二阻挡层之上的铜层；
在抛光后的界面上沉积底电极金属层；
图案化所述底电极金属层，得到MRAM底电极。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述图案化所述底电极金属层包括：
通过光刻和刻蚀工艺对所述底电极金属层图案化；
将刻蚀终点停止在所述介电层，按照光刻图形依次刻蚀所述底电极金属层和所述第二阻挡层。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述底电极金属层的材料为TaN、Ta、TiN和Ti中的任意一种或者几种的混合物。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第二阻挡层的材料为TaN、Ta、TiN、Ti、Co和Ru中的任意一种或者几种的混合物。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述介电层的材料为氧化硅SiO、二氧化硅SiO2、碳氧化物CDO、氮化硅SiN、氟硅玻璃FSG、磷硅玻璃PSG、硼磷硅玻璃BPSG、正硅酸乙酯TEOS、Low-K介电质或者Ultra-Low-K介电质。
6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一阻挡层的材料为氮氧硅化合物、氮化硅、碳氮硅化合物或者碳化硅。
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