[发明专利]利用离子阻性离子可穿透元件电镀金属的装置和方法

权利要求书

1.一种用于半导体衬底的电化学处理的离子阻性离子可穿透元件，其中该离子阻性离子可穿透元件允许在电化学处理期间离子电流流过该元件，包含多个直径为0.5-1mm的通道并且其中该元件包括具有逐渐变化的局部电阻率的区域，

其中所述具有逐渐变化的局部电阻率的区域包括至少四个局部电阻率值，它们沿所述离子阻性离子可穿透元件的表面上的任何矢量增加或减少，以及

其中所述元件在所述具有逐渐变化的局部电阻率的区域中具有逐渐变化的孔隙率和恒定的厚度。

2.根据权利要求1所述的离子阻性离子可穿透元件，其中所述具有逐渐变化的局部电阻率的区域与所述元件共同延伸，并且其中所述区域中的所述局部电阻率从所述元件的边缘到所述元件的中心径向减小。

3.根据权利要求1所述的离子阻性离子可穿透元件，其中所述元件包括围绕所述具有逐渐变化的局部电阻率的区域的具有恒定局部电阻率的区域，其中所述具有逐渐变化的局部电阻率的区域位于所述元件的中心部分中，并且其中所述具有逐渐变化的局部电阻率的区域中的局部电阻率从与所述具有恒定局部电阻率的区域的交界面到所述元件的中心径向减小。

4.根据权利要求1所述的离子阻性离子可穿透元件，其中所述通道为非连通通道，所述非连通通道通过离子电阻材料制成并将所述元件的第一表面与所述元件的相对表面连接，其中所述元件允许电解质通过所述通道移动。

5.根据权利要求4所述的离子阻性离子可穿透元件，其中所述具有逐渐变化的局部电阻率的区域具有逐渐变化的非连通通道的密度。

6.根据权利要求4所述的离子阻性离子可穿透元件，其中所述具有逐渐变化的局部电阻率的区域具有非连通通道的直径的逐渐变化。

7.根据权利要求4所述的离子阻性离子可穿透元件，其中所述具有逐渐变化的局部电阻率的区域具有相对于由所述元件的第一表面限定的平面的非连通通道的倾斜角度的逐渐变化。