[发明专利]多层陶瓷电容器

权利要求书

1.一种多层陶瓷电容器，包括：

主体，包括介电层和内电极；以及

外电极，设置在所述主体的表面上，

其中，所述外电极包括：

电极层，与所述内电极接触；

第一金属间化合物层，设置在所述电极层上，并利用Cu₃Sn制成，Cu₃Sn为第一金属间化合物；

第二金属间化合物层，设置在所述第一金属间化合物层上，并利用Cu₆Sn₅制成，Cu₆Sn₅为第二金属间化合物；以及

导电树脂层，设置在所述第二金属间化合物层上，并包括多个金属颗粒、基体树脂和具有低于所述基体树脂的固化温度的熔点的导电金属。

2.根据权利要求1所述的多层陶瓷电容器，其中，所述多个金属颗粒是Ag，具有低于所述基体树脂的所述固化温度的熔点的所述导电金属是Sn。

3.根据权利要求2所述的多层陶瓷电容器，其中，所述导电树脂层不包括Cu颗粒。

4.根据权利要求2所述的多层陶瓷电容器，其中，所述导电树脂层包括Cu颗粒，并且

在所述导电树脂层中，所述Cu颗粒的含量小于所述Ag颗粒的含量。

5.根据权利要求1所述的多层陶瓷电容器，其中，所述第一金属间化合物层的厚度与所述第二金属间化合物层的厚度的比为0.1至1.0。

6.根据权利要求1所述的多层陶瓷电容器，其中，所述多个金属颗粒的颗粒尺寸为0.5μm至3.0μm。

7.根据权利要求1所述的多层陶瓷电容器，其中，具有低于所述基体树脂的所述固化温度的熔点的所述导电金属的含量大于或等于10wt％且小于33wt％。

8.根据权利要求1所述的多层陶瓷电容器，其中，所述第二金属间化合物层中的空洞数与所述第一金属间化合物层中的空洞数的比小于1.0。

9.一种多层陶瓷电容器，包括：

主体，包括介电层和内电极；以及

外电极，设置在所述主体的表面上，

其中，所述外电极包括：

电极层，与所述内电极接触；

第一金属间化合物层，设置在所述电极层上，并利用第一金属间化合物制成；

第二金属间化合物层，设置在所述第一金属间化合物层上，并利用第二金属间化合物制成；以及

导电树脂层，设置在所述第二金属间化合物层上，并包括多个金属颗粒、基体树脂和具有低于所述基体树脂的固化温度的熔点的导电金属，

其中，所述第二金属间化合物层中的空洞数小于所述第一金属间化合物层中的空洞数。

10.根据权利要求9所述的多层陶瓷电容器，其中，所述多个金属颗粒是Ag，具有低于所述基体树脂的所述固化温度的熔点的所述导电金属是Sn。

11.根据权利要求10所述的多层陶瓷电容器，其中，所述导电树脂层不包括Cu颗粒。

12.根据权利要求10所述的多层陶瓷电容器，其中，所述导电树脂层包括Cu颗粒，并且

在所述导电树脂层中，所述Cu颗粒的含量小于所述Ag颗粒的含量。

13.根据权利要求9所述的多层陶瓷电容器，其中，所述第一金属间化合物是Cu₃Sn。

14.根据权利要求9所述的多层陶瓷电容器，其中，所述第二金属间化合物是Cu₆Sn₅。

15.根据权利要求9所述的多层陶瓷电容器，其中，所述第一金属间化合物层的厚度与所述第二金属间化合物层的厚度的比为0.1至1.0。