[发明专利]显示面板和包括显示面板的显示装置在审
申请号: | 201910552826.1 | 申请日: | 2019-06-25 |
公开(公告)号: | CN110660826A | 公开(公告)日: | 2020-01-07 |
发明(设计)人: | 李俊杰;高京秀;金湘甲;崔新逸 | 申请(专利权)人: | 三星显示有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52 |
代理公司: | 11286 北京铭硕知识产权代理有限公司 | 代理人: | 田野;尹淑梅 |
地址: | 韩国京畿*** | 国省代码: | 韩国;KR |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 绝缘层 开口区域 显示面板 显示区域 显示元件 像素电极 基底 底切结构 对电极 多层膜 薄膜封装层 有机封装层 显示装置 封装层 中间层 覆盖 | ||
1.一种显示面板,所述显示面板包括:
基底,具有开口区域和至少部分地围绕所述开口区域的显示区域;
多个显示元件,布置在所述显示区域中,所述多个显示元件中的每个包括像素电极、对电极和置于所述像素电极与所述对电极之间的中间层;
多层膜,包括布置在所述基底与所述像素电极之间的第一绝缘层和布置在所述第一绝缘层上并且具有与所述第一绝缘层的材料不同的材料的第二绝缘层;以及
薄膜封装层,覆盖所述多个显示元件并且包括至少一个有机封装层和至少一个无机封装层,
其中,所述多层膜包括设置在所述开口区域与所述显示区域之间的第一凹槽,并且
其中,所述第一凹槽具有底切结构,在所述底切结构中,所述第一凹槽的下宽度大于所述第一凹槽的上宽度。
2.根据权利要求1所述的显示面板,其中,所述第一绝缘层为有机绝缘层,所述第二绝缘层为无机绝缘层。
3.根据权利要求1所述的显示面板,其中,所述像素电极接触所述第一绝缘层的上表面,并且所述像素电极的端部被所述第二绝缘层覆盖。
4.根据权利要求1所述的显示面板,其中,在所述薄膜封装层中,所述至少一个无机封装层包括第一无机封装层和第二无机封装层,其中,所述至少一个有机封装层包括一个有机封装层,其中,所述有机封装层设置在所述第一无机封装层与所述第二无机封装层之间。
5.根据权利要求1所述的显示面板,其中,所述至少一个无机封装层覆盖所述第一凹槽的内表面。
6.根据权利要求1所述的显示面板,所述显示面板还包括设置在所述多层膜之下的第三绝缘层,
其中,所述至少一个无机封装层通过所述第一凹槽与所述第三绝缘层直接接触。
7.根据权利要求6所述的显示面板,其中,所述第三绝缘层是无机绝缘层。
8.根据权利要求1所述的显示面板,其中,所述至少一个有机封装层至少部分地填充所述第一凹槽。
9.根据权利要求1所述的显示面板,其中,所述多层膜还包括与所述第一凹槽相邻的第二凹槽,所述第二凹槽比所述第一凹槽靠近所述开口区域。
10.根据权利要求9所述的显示面板,其中,所述至少一个有机封装层的端部位于所述第一凹槽与所述第二凹槽之间。
11.根据权利要求1所述的显示面板,其中,所述基底和所述薄膜封装层均具有对应于所述开口区域的开口。
12.一种显示面板,所述显示面板包括:
基底,具有开口区域;
多个显示元件,布置在所述基底上,所述多个显示元件围绕所述开口区域,并且所述多个显示元件中的每个包括像素电极、对电极和置于所述像素电极与所述对电极之间的中间层;
多层膜,包括布置在所述基底与所述像素电极之间的第一绝缘层和设置在所述第一绝缘层上的第二绝缘层;以及
封装层,覆盖所述多个显示元件,
其中,所述多层膜包括围绕所述开口区域并且相对于所述多层膜的深度方向凹入的第一凹槽,并且
其中,所述第一凹槽具有底切结构,在所述底切结构中,所述第一凹槽的下宽度大于所述第一凹槽的上宽度。
13.根据权利要求12所述的显示面板,其中,所述第一绝缘层与所述像素电极直接接触,所述第二绝缘层覆盖所述像素电极的边缘。
14.根据权利要求12所述的显示面板,其中,所述第一绝缘层为有机绝缘层,所述第二绝缘层为无机绝缘层。
15.根据权利要求12所述的显示面板,其中,所述封装层包括至少一个无机封装层和至少一个有机封装层。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三星显示有限公司,未经三星显示有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201910552826.1/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:有机发光二极管显示装置
- 下一篇:显示设备
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的