[发明专利]半导体器件

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

基板，在其中具有有源图案；

栅电极，横跨所述有源图案延伸；

源/漏区，在所述有源图案上，横向邻近所述栅电极；和

接触结构，包括：

在所述源/漏区上的第一接触；

在所述第一接触上的第二接触；和

间隔物，在所述第一和第二接触的侧壁上，并具有与所述第二接触的上表面共面的上表面。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述接触结构还包括在所述第二接触和所述间隔物之间的绝缘层。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述栅电极沿第一方向纵向延伸，并且其中所述第一接触沿所述第一方向的最大宽度大于所述第二接触沿所述第一方向的最大宽度。

4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述第一接触包括导电图案和插置在所述导电图案与所述间隔物之间以及在所述导电图案与所述源/漏区之间的阻挡图案。

5.根据权利要求4所述的半导体器件，其中所述阻挡图案的上表面与所述导电图案的上表面处于不同的水平。

6.根据权利要求4所述的半导体器件，其中所述导电图案的上部覆盖所述阻挡图案的上表面。

7.根据权利要求4所述的半导体器件，其中所述阻挡图案具有第一上表面和第二上表面，其中所述第二接触接触所述第二上表面，并且其中所述阻挡图案的所述第二上表面低于所述阻挡图案的所述第一上表面。

8.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括电连接到所述栅电极的栅极接触，其中所述栅电极沿第一方向纵向延伸，其中所述第一接触包括沿所述第一方向彼此相邻的第一部分和第二部分，其中所述第一接触的所述第一部分在交叉所述第一方向的第二方向上与所述栅极接触相邻，并且其中所述第二接触设置在所述第一接触的所述第二部分上。

9.根据权利要求8所述的半导体器件，其中所述第二接触的上表面与所述栅极接触的上表面共面，并且其中所述第一接触的上表面低于所述栅极接触的下表面。

10.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括：

电连接到所述接触结构的布线；和

通孔，设置在所述接触结构和所述布线之间并连接所述布线和所述接触结构。

11.一种半导体器件，包括：

基板，在其中具有有源图案；

栅电极，横跨所述有源图案延伸；

源/漏区，在所述有源图案上，横向邻近所述栅电极；

栅极接触，电连接到所述栅电极；和

接触结构，电连接到所述源/漏区并包括在所述源/漏区上的第一接触和在所述第一接触上的第二接触，

其中所述第二接触的上表面与所述栅极接触的上表面共面，并且其中所述第一接触的上表面低于所述栅极接触的下表面。

12.根据权利要求11所述的半导体器件，其中所述接触结构还包括在所述第一和第二接触的侧壁上的间隔物以及在所述第二接触和所述间隔物之间的绝缘层。

13.根据权利要求12所述的半导体器件，其中所述第一接触包括导电图案和插置在所述导电图案与所述间隔物之间以及在所述导电图案与所述源/漏区之间的阻挡图案。

14.根据权利要求11所述的半导体器件，其中所述栅电极沿第一方向纵向延伸，其中所述第一接触包括在所述第一方向上彼此相邻的第一部分和第二部分，其中所述第一接触的所述第一部分在交叉所述第一方向的第二方向上与所述栅极接触相邻，并且其中所述第二接触设置在所述第一接触的所述第二部分上。