[发明专利]半导体激光器及其激光谐振腔、光学限制结构在审
| 申请号： | 201910553373.4 | 申请日： | 2019-06-25 |
| 公开（公告）号： | CN110323670A | 公开（公告）日： | 2019-10-11 |
| 发明（设计）人： | 刘建平;江灵荣;田爱琴;杨辉 | 申请（专利权）人： | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 |
| 主分类号： | H01S5/20 | 分类号： | H01S5/20;H01S5/10 |
| 代理公司： | 深圳市铭粤知识产权代理有限公司 44304 | 代理人： | 孙伟峰 |
| 地址： | 215123 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 光学限制 包覆层 波导层 激光谐振腔 半导体激光器 折射率 光学限制层 彼此面对 铝铟镓氮 生长方向 四元合金 激光器 衬底 反射 射入 | ||
1.一种用于形成激光谐振腔的光学限制结构，其特征在于，包括波导层和设于所述波导层表面上的包覆层，所述包覆层的折射率小于所述波导层的折射率，所述包覆层用于反射从所述波导层射入所述包覆层的光线，其中，所述包覆层为铝铟镓氮四元合金。
2.根据权利要求1所述的光学限制结构，其特征在于，构成所述包覆层的铝铟镓氮四元合金中，铝的摩尔组分小于20％，且铟的摩尔组分小于10％。
3.根据权利要求1或2所述的光学限制结构，其特征在于，所述包覆层的生长温度为700℃～900℃、生长压力为200mbar～500mbar、生长速率为0.01nm/s～0.5nm/s。
4.一种激光谐振腔，其特征在于，包括第一光学限制结构和第二光学限制结构，所述第一光学限制结构和所述第二光学限制结构均为如权利要求1-3任一所述的光学限制结构，所述第一光学限制结构的波导层与所述第二光学限制结构的波导层彼此面对设置。
5.根据权利要求4所述的激光谐振腔，其特征在于，所述第一光学限制结构的所述波导层与所述包覆层之间的折射率差值的绝对值大于所述第二光学限制结构的所述波导层与所述包覆层之间的折射率差值的绝对值。
6.根据权利要求4所述的激光谐振腔，其特征在于，所述第二光学限制结构的所述波导层与所述包覆层之间设有电子阻挡层。
7.一种半导体激光器，其特征在于，包括衬底和如权利要求4-6任一所述的激光谐振腔，所述激光谐振腔的所述第一光学限制结构的包覆层设于所述衬底上，所述第一光学限制结构的波导层与所述第二光学限制结构的波导层之间设有量子阱有源层。
8.根据权利要求7所述的半导体激光器，其特征在于，所述量子阱有源层包括叠层的量子阱单层和量子阱垒单层，其中，所述量子阱单层朝向所述第一光学限制结构，所述量子阱垒单层朝向所述第二光学限制结构。
9.根据权利要求7所述的半导体激光器，其特征在于，所述衬底与所述第一光学限制结构的包覆层之间设有N型氮化镓层。
10.根据权利要求9所述的半导体激光器，其特征在于，所述第二光学限制结构的包覆层的背向于所述波导层的一侧表面上依序叠层设有P型氮化镓层和接触层。
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