[发明专利]一种PERC电池背钝化结构及制备方法在审
| 申请号： | 201910553483.0 | 申请日： | 2019-06-25 |
| 公开（公告）号： | CN110473921A | 公开（公告）日： | 2019-11-19 |
| 发明（设计）人： | 赵洪俊;宛正 | 申请（专利权）人： | 阜宁苏民绿色能源科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/0216 | 分类号： | H01L31/0216;H01L31/18 |
| 代理公司： | 32224 南京纵横知识产权代理有限公司 | 代理人： | 刘妍妍<国际申请>=<国际公布>=<进入 |
| 地址： | 224400 江苏省盐*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 氮化硅层 背钝化结构 氧化铝层 电池 衬底 晶硅 制备 复合 短路电流 多晶硅片 开路电压 依次层叠 转换效率 沉积 单晶 硅片 | ||
1.一种PERC电池背钝化结构，其特征在于，所述PERC电池背钝化结构包括依次层叠的晶硅衬底、氧化铝层和复合氮化硅层；
所述晶硅衬底为单晶或多晶硅片，为p型晶体硅片，厚度为180～200μm；
所述氧化铝层为PECVD法沉积；
所述复合氮化硅层包括第一氮化硅层、第二氮化硅层和第三氮化硅层；
所述第一氮化硅层的厚度不大于第二氮化硅层的厚度，所述第二氮化硅层的厚度不大于第三氮化硅层的厚度。
2.根据权利要求1所述的PERC电池背钝化结构，其特征在于，所述第二氮化硅层的硅含量大于第一氮化硅层和第三氮化硅层的硅含量。
3.根据权利要求1所述的PERC电池背钝化结构，其特征在于，所述第一氮化硅层的折射率小于2.08，所述第二氮化硅层的折射率大于2.15，所述第三氮化硅层的折射率小于2.08。
4.根据权利要求1所述的PERC电池背钝化结构，其特征在于，所述第一氮化硅层的厚度为20-40nm，所述第二氮化硅层的厚度为30-60nm，所述第三氮化硅层的厚度为40-70nm。
5.根据权利要求1所述的PERC电池背钝化结构，其特征在于，所述的氧化铝层厚度为12-20nm。
6.根据权利要求1所述的PERC电池背钝化结构，其特征在于，所述晶硅衬底厚度为180～200μm。
7.一种根据权利要求1所述的PERC电池背钝化结构的制备方法，所述方法包括：
对晶硅衬底进行制绒、扩散、激光掺杂、背面抛光、去磷硅玻璃、氧化；
背面采用PECVD制备氧化铝层；
采用PECVD在氧化铝膜上制作第一层氮化硅薄膜，硅烷流量为240～270sccm，氨气流量为860sccm；
在第一层氮化硅薄膜上采用PECVD制作第二氮化硅层，硅烷流量为360～390sccm，氨气流量为780sccm；
在第二层氮化硅薄膜上采用PECVD制作第三氮化硅层，硅烷流量为240～270sccm，氨气流量为860sccm。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
