[发明专利]显示背板及其制作方法和显示装置有效
申请号: | 201910553502.X | 申请日: | 2019-06-25 |
公开(公告)号: | CN110246883B | 公开(公告)日: | 2021-11-23 |
发明(设计)人: | 杨明;王灿;杨盛际;丛宁;张粲 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32 |
代理公司: | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人: | 赵天月 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示 背板 及其 制作方法 显示装置 | ||
1.一种制作显示背板的方法,其特征在于,所述显示背板包括:
衬底;
多个子像素,多个所述子像素周期性分布在所述衬底的第一表面上,每个子像素分布周期包括N个成行或者成列分布的所述子像素,N个所述子像素的微腔腔长不完全相同,且N个所述子像素中微腔腔长最大的子像素和N个所述子像素中微腔腔长最小的子像素不相邻,N为大于或等于3的正整数,
一个所述子像素包括:
第一电极,所述第一电极设置在所述第一表面上;
反射层,所述反射层设置在所述第一电极远离所述衬底的一侧;
腔长调节层,所述腔长调节层设置在所述反射层远离所述衬底的一侧,且所述腔长调节层中设有通孔;
第二电极,所述第二电极设置在所述腔长调节层远离所述衬底的一侧,且所述第二电极通过所述通孔与所述反射层电连接;
发光功能层,所述发光功能层设置在所述第二电极远离所述衬底的一侧;
第三电极,所述第三电极设置在所述发光功能层远离所述衬底的一侧,
制作所述显示背板的方法,包括:在所述衬底的所述第一表面上形成多个呈周期性分布的所述子像素,其中,所述子像素的形成步骤包括:
在所述第一表面上形成所述第一电极;
在所述第一电极远离所述衬底的一侧形成所述反射层;
在所述反射层远离所述衬底的一侧形成所述腔长调节层;
在所述腔长调节层远离所述衬底的一侧形成所述第二电极,且所述第二电极与所述反射层电连接;
在所述第二电极远离所述衬底的一侧形成所述发光功能层;
在所述发光功能层远离所述衬底的一侧形成所述第三电极,
其中,在多个所述子像素分布的行或者列的方向上,定义依次分布的N个所述子像素分别为子像素1、子像素2、……、子像素N-1、子像素N,其中N为奇数,N个所述子像素中的所述腔长调节层是通过以下步骤形成的:
步骤1、在N个所述反射层远离所述衬底的一侧形成整层介质层;
步骤2、对所述介质层远离所述衬底的表面进行第一次刻蚀,所述第一次刻蚀的区域在所述衬底上的正投影覆盖所述子像素1+i至所述子像素N-i在所述衬底上的正投影;
步骤3、对经过所述第一次刻蚀的所述介质层的部分表面进行第二次刻蚀,所述第二次刻蚀的区域在所述衬底上的正投影覆盖所述子像素1+i至所述子像素N-i在所述衬底上的正投影;
步骤4:重复步骤3,直至1+i=N-i,
其中,i等于刻蚀次数。
2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,每个所述子像素分布周期包括奇数个所述子像素,在所述奇数个所述子像素的分布方向上,所述子像素的微腔腔长从中间向两侧逐渐增大或者逐渐减小。
3.根据权利要求2所述的方法,其特征在于,每个所述子像素分布周期包括依次分布的第一子像素、第二子像素、第三子像素、第二子像素和第一子像素,且所述第一子像素、所述第二子像素和所述第三子像素的颜色不同。
4.根据权利要求3所述的方法,其特征在于,一个所述第三子像素的发光面积大于一个所述第一子像素的发光面积,且一个所述第三子像素的发光面积大于一个所述第二子像素的发光面积。
5.根据权利要求3所述的方法,其特征在于,所述第一子像素为红色子像素,所述第二子像素为绿色子像素,所述第三子像素为蓝色子像素。
6.根据权利要求3所述的方法,其特征在于,所述第一子像素为蓝色子像素,所述第二子像素为绿色子像素,所述第三子像素为红色子像素。
7.一种显示装置,其特征在于,包括由权利要求1~6中任一项所述方法制作得到的显示背板。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的