[发明专利]制备陶瓷基材的方法和系统

权利要求书

1.一种制备陶瓷基材的方法，其特征在于，包括：

将第一陶瓷浆料进行流延处理，以便得到第一膜片；

将第二陶瓷浆料与造孔剂混合后进行流延处理，以便得到第二膜片；

将所述第一膜片与所述第二膜片经叠层后依次进行等静压和排胶烧结处理，以便得到陶瓷坯体；

将所述陶瓷坯体进行后处理，以便得到陶瓷基材。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一陶瓷浆料和所述第二陶瓷浆料含有陶瓷粉末，所述陶瓷粉末为氧化锆、氧化铝、氮化铝中的至少之一；

任选的，所述第一陶瓷浆料中所述陶瓷粉末的浓度为48～65wt％；

任选的，所述第二陶瓷浆料中所述陶瓷粉末的浓度为43～63wt％；

任选的，所述第一陶瓷浆料的黏度为500～12000mpa·s；

任选的，所述第二陶瓷浆料的黏度为400～14000mpa·s。

3.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述造孔剂的粒径为40～1000纳米；

任选的，所述造孔剂为选自碳粉、塑胶粉、碳酸盐、硫粉、磷粉、石墨粉中的至少之一；

任选的，在所述第二膜片中，所述氧化锆陶瓷与所述造孔剂的质量比为1.5～150：1。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一膜片的厚度为0.1-2mm；

任选的，所述第二膜片的厚度为0.005-0.2mm。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述等静压处理为选自热压、冷压、冷等静压、温等静压中的至少之一；

任选的，所述等静压处理的压力为20～300MPa，时间为0.5～1800s。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述烧结处理的烧成温度为1000～1700℃，保温时间为5～480min；

任选的，所述后处理为选自激光切割、CNC、减薄、清洗、退火、研磨、抛光、打孔中的至少之一。

7.一种实施权利要求1-6中任一项所述的制备陶瓷基材的方法的系统，其特征在于，包括：

第一流延装置，所述第一流延装置具有第一陶瓷浆料入口和第一膜片出口；

第二流延装置，所述第二流延装置具有第二陶瓷浆料入口、造孔剂入口和第二膜片出口；

等静压装置，所述等静压装置具有载板，所述载板具有第一膜片入口、第二膜片入口和等静压坯体出口，所述第一膜片入口与所述第一膜片出口相连，所述第二膜片入口与所述第二膜片出口相连；

排胶烧结装置，所述排胶烧结装置具有等静压坯体入口和陶瓷坯体出口，所述等静压坯体入口与所述等静压坯体出口相连；

后处理单元，所述后处理单元具有陶瓷坯体入口和陶瓷基材出口，所述陶瓷坯体入口与所述陶瓷坯体出口相连。

8.根据权利要求7所述的系统，其特征在于，所述第一流延装置和所述第二流延装置分别独立的为选自载带流延机、钢带流延机中的至少之一。

9.根据权利要求7或8所述的系统，其特征在于，所述载板为2D载板或3D载板；

任选的，所述载板的材质为选自玻璃、陶瓷、金属中的至少之一；

任选的，所述等静压装置为选自热压机、冷压机、冷等静压机、温等静压机中的至少之一。

10.根据权利要求7所述的系统，其特征在于，所述排胶烧结装置为箱式炉、隧道炉中的至少之一；

任选的，所述后处理单元包括激光切割装置、CNC装置、减薄装置、清洗装置、退火装置、研磨装置、抛光装置、打孔装置中的至少之一。