[发明专利]一种硅片刻蚀的方法、在硅片表面制备减反射绒面的方法和在硅片表面刻蚀特定图形的方法

权利要求书

1.一种在硅片表面制备减反射绒面的方法，具体包括如下步骤：

将固体MnO₂颗粒与非氧化性混合酸溶液混合，得到悬浊液；

将硅片放入所述悬浊液中，固体MnO₂颗粒沉降在硅片表面，进行刻蚀，在硅片表面形成减反射绒面；

所述非氧化性混合酸溶液中的酸包括HF和其他非氧化性酸。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述其他非氧化性酸为HCl。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述刻蚀完成后，将刻蚀后的硅片进行洗涤，所述洗涤包括依次进行的碱洗、酸洗和水洗。

4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述碱洗用碱洗液为强碱水溶液，所述强碱水溶液中的强碱为NaOH和KOH中的至少一种，所述强碱水溶液的浓度为2.0～8.0wt.％。

5.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述酸洗用酸洗液为HF和HCl的混合水溶液，所述酸洗液中HF的浓度为2.0～3.0mol/L，HCl的浓度为2.5～3.5mol/L。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，进行所述刻蚀前，将硅片进行清洗，所述清洗的方法为标准RCA清洗步骤中的一步或多步。

7.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述HF的浓度为1.9～22.6mol/L，所述HCl的浓度为3.3～19.8mol/L。

8.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述固体MnO₂颗粒的粒径≤10μm，所述悬浊液中固体MnO₂颗粒的浓度为8.3～33.3g/L。

9.一种在硅片表面刻蚀特定图形的方法，其特征在于，采用权利要求1～8任一项所述的硅片刻蚀的方法在硅片表面刻蚀特定图形，包括如下步骤：

在硅片需要刻蚀特定图形的位置施加固体MnO₂，然后在非氧化性混合酸溶液中进行刻蚀，在硅片表面得到特定图形。