[发明专利]偏光结构、3D显示装置及3D显示系统

权利要求书

1.一种偏光结构，其特征在于，包括晶体基材和设置于所述晶体基材相对的两个表面的第一电极和第二电极，所述第一电极为面状电极，所述第二电极包括间隔排布的多个第一子电极和多个第二子电极；

还包括控制单元，所述控制单元通过控制施加于所述第一电极和所述第二电极上的电压、以控制所述偏光结构在第一状态和第二状态之间切换；

其中，在所述第一状态下，所述控制单元对所述第一电极和所述第一子电极施加第一电压，使得所述晶体基材的折射率改变以使得入射光偏转为第一偏振光；

在所述第二状态下，对所述第一电极和所述第二子电极施加第二电压，使得所述晶体基材的折射率改变以使得入射光偏转为与所述第一偏振光的偏振方向不同的第二偏振光；

所述控制单元对所述第一子电极和所述第一电极施加第一电压，经所述晶体基材与所述第一子电极对应的区域分解形成的寻常光和非常光的相位差所述第一偏振光为左旋偏振光；

所述控制单元对所述第二子电极和所述第一电极施加第二电压，经所述晶体基材与所述第二子电极对应的区域分解形成的寻常光和非常光的相位差所述第二偏振光为右旋偏振光；

还包括调节单元，用于根据所述晶体基材的环境温度变换，调节所述第一电压和所述第二电压，以使得经所述晶体基材与所述第一子电极对应的区域分解形成的寻常光和非常光的相位差并使得经所述晶体基材与所述第二子电极对应的区域分解形成的寻常光和非常光的相位差

2.根据权利要求1所述的偏光结构，其特征在于，所述第一偏振光为左旋偏振光，所述第二偏振光为右旋偏振光。

3.根据权利要求1所述的偏光结构，其特征在于，所述晶体基材采用铁电晶体材料制成。

4.根据权利要求3所述的偏光结构，其特征在于，所述铁电晶体包括铌酸锂晶体。

5.根据权利要求3所述的偏光结构，其特征在于，入射光经所述晶体基材后被分解为寻常光和非常光，所述寻常光和所述非常光的相位差由以下公式获得：

其中，△n＝-(1/2d)r₁₃n₀³V，为所述晶体基材加电压V时所述晶体基材相应的区域的折射率，r₁₃是所述晶体基材的线形电光系数，λ为入射光的波长，n₀为所述晶体基材未加电压时所述晶体基材相应的区域的折射率，d₃₃为压电系数，d为所述晶体基材的厚度，V为电压。

6.一种3D显示装置，其特征在于，包括显示面板以及权利要求1-5任一项所述的偏光结构，所述偏光结构位于所述显示面板的出光侧。

7.根据权利要求6所述的3D显示装置，其特征在于，所述显示面板包括多个像素区域，多个所述像素区域包括与多个所述第一子电极对应的多个第一像素区域和与多个所述第二子电极对应的多个第二像素区域；

所述控制单元对所述第一子电极和所述第一电极施加第一电压，所述第一像素区域发出的光经所述晶体基材与所述第一子电极对应的区域后形成第一偏振光；

所述控制单元对所述第二子电极和所述第一电极施加第二电压，所述第二像素区域发出的光经所述晶体基材与所述第一子电极对应的区域后形成第二偏振光。

8.根据权利要求7所述的3D显示装置，其特征在于，所述第一像素区域为排布于所述显示面板上的奇数行像素区域，所述第二像素区域为排布于所述显示面板上的偶数行像素区域；或者

所述第一像素区域为排布于所述显示面板上的偶数行像素区域，所述第二像素区域为排布于所述显示面板上的奇数行像素区域。

9.一种3D显示系统，其特征在于，包括权利要求6-8任一项所述的3D显示装置以及与所述3D显示装置相适配的眼镜。