[发明专利]半导体结构及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：

提供基底，所述基底包括主动区及包围所述主动区的走线区；

在所述走线区的部分所述基底表面形成第一挡墙；

在所述主动区的所述基底表面形成第一涂层。

2.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，在同一工艺步骤中形成所述第一挡墙及所述第一涂层。

3.如权利要求2所述的形成方法，其特征在于，形成所述第一挡墙及所述第一涂层的工艺中，还包括：在所述第一挡墙与所述第一涂层之间的所述基底表面形成第一主附属层。

4.如权利要求3所述的形成方法，其特征在于，所述走线区包括第一子走线区、第二子走线区及第三子走线区，所述第三子走线区与所述主动区相邻接，所述第二子走线区位于所述第一子走线区与所述第三子走线区之间。

5.如权利要求4所述的形成方法，其特征在于，形成所述第一挡墙、所述第一涂层及所述第一主附属层的工艺方法包括：

在所述走线区及所述主动区的所述基底表面形成初始第一涂层；

在所述第一子走线区及所述第三子走线区的所述初始第一涂层表面形成图形化层；

以所述图形化层为掩膜，对所述初始第一涂层进行曝光处理；

对所述初始第一涂层进行显影处理，所述主动区的所述初始第一涂层形成所述第一涂层，所述第三子走线区的所述初始第一涂层形成所述第一主附属层，所述第二子走线区的所述初始第一涂层形成所述第一挡墙。

6.如权利要求3所述的形成方法，其特征在于，所述第一挡墙包括相对的第一侧壁及第二侧壁，所述第二侧壁朝向所述第一涂层，所述第一侧壁远离所述第一涂层；形成所述第一挡墙及所述第一涂层的工艺中，还包括：在所述第一侧壁表面形成第一副附属层。

7.如权利要求1至6任一项所述的形成方法，其特征在于，所述基底还包括包围所述主动区及所述走线区的焊盘区。

8.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，形成所述第一涂层的工艺步骤在形成所述第一挡墙的工艺步骤之后进行。

9.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，形成所述第一涂层后，还包括：

在所述第一挡墙顶部形成第二挡墙；

形成覆盖所述第一涂层顶部的第二涂层。

10.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述第一挡墙的数量为一个或多个。

11.一种半导体结构，其特征在于，包括：

基底，所述基底包括主动区及包围所述主动区的走线区；

第一挡墙，位于所述走线区的部分所述基底表面；

第一涂层，位于所述主动区的所述基底表面。

12.如权利要求11所述的半导体结构，其特征在于，还包括：第一主附属层，所述第一主附属层位于所述第一挡墙与所述第一涂层之间。

13.如权利要求12所述的半导体结构，其特征在于，所述走线区包括第一子走线区、第二子走线区及第三子走线区，所述第三子走线区与所述主动区相邻接，所述第二子走线区位于所述第一子走线区与所述第三子走线区之间，所述第一挡墙位于所述第二子走线区的所述基底表面，所述第一主附属层位于所述第三子走线区的所述基底表面。

14.如权利要求13所述的半导体结构，其特征在于，所述第一挡墙的宽度小于所述第一涂层的宽度。

15.如权利要求12所述的半导体结构，其特征在于，所述第一挡墙包括相对的第一侧壁及第二侧壁，所述第二侧壁朝向所述第一涂层，所述第一侧壁远离所述第一涂层；所述半导体结构还包括：第一副附属层，所述第一副附属层位于所述第一侧壁表面上。