[发明专利]基板处理装置、半导体器件的制造方法及记录介质在审
申请号: | 201910555332.9 | 申请日: | 2019-06-25 |
公开(公告)号: | CN110783243A | 公开(公告)日: | 2020-02-11 |
发明(设计)人: | 高畑觉;布村一朗;饭田宰;关原仁;筒口和典;柴田仁 | 申请(专利权)人: | 株式会社国际电气 |
主分类号: | H01L21/677 | 分类号: | H01L21/677 |
代理公司: | 11256 北京市金杜律师事务所 | 代理人: | 陈伟;闫剑平 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 移载 非活性气体 气体环境 导入管 基板处理装置 进气阻尼器 空气模式 进气扇 排气阀 排气扇 吹扫 进气口 非活性气体环境 半导体器件 基板处理 空气环境 吸入空气 种类变更 连通 制造 | ||
1.一种基板处理装置,其特征在于,具备:
进气阻尼器及进气扇,它们与向移载室吸入空气的进气口连通,该移载室连接于进行基板的处理的处理室;
非活性气体导入管的阀,该非活性气体导入管向所述移载室供给非活性气体;
排气扇及排气阀,它们设于所述移载室;
切换机构,其从将所述移载室的气体环境设为空气环境的空气模式和将所述移载室的气体环境设为非活性气体环境的吹扫模式中选择某一模式;和
控制机构,其构成为通过对所述进气阻尼器及所述进气扇、所述非活性气体导入管的阀、和所述排气扇及所述排气阀分别进行控制,来执行所述空气模式和所述吹扫模式中的某一模式。
2.根据权利要求1所述的基板处理装置,其特征在于,所述控制机构以如下方式进行控制:在执行所述空气模式的情况下,将测量所述移载室的氧气浓度的氧气浓度计设定为无效,打开所述进气阻尼器并将所述进气扇设定为打开,打开所述排气阀并将所述排气扇设定为打开,以及将所述非活性气体导入管的阀设定为关闭,由此将所述移载室的气体环境设为空气环境。
3.根据权利要求1所述的基板处理装置,其特征在于,所述控制机构以如下方式进行控制:在执行所述吹扫模式的情况下,将测量所述移载室的氧气浓度的氧气浓度计设定为有效,关闭所述进气阻尼器并将所述进气扇设定为关闭,关闭所述排气阀并将所述排气扇设定为关闭,以及将所述非活性气体导入管的阀设定为打开,由此将所述移载室的气体环境设为非活性气体环境。
4.根据权利要求1所述的基板处理装置,其特征在于,所述控制机构在所述移载室内将所述基板载置到基板保持件上或将其取出,并在载置有所述基板的状态下将所述基板保持件装载到所述处理室对所述基板进行处理,之后将所述基板保持件卸载到所述移载室,
所述控制机构构成为在进行所述装载时及/或进行所述卸载时对所述进气阻尼器及所述进气扇、所述非活性气体导入管的阀、和所述排气扇及所述排气阀分别进行控制。
5.根据权利要求1所述的基板处理装置,其特征在于,所述移载室还构成为具有:测量该移载室的氧气浓度的氧气浓度计;将所述移载室设为密闭空间的闸阀;和排气阀,其设于基板保持件升降机构的上部,该基板保持件升降机构在将所述基板保持件装载到所述处理室并对所述基板进行处理之后将所述基板保持件卸载到所述移载室。
6.根据权利要求1所述的基板处理装置,其特征在于,所述控制机构构成为决定在从所述空气模式和所述吹扫模式中选择某一模式时使用的所述切换机构的打开/关闭状态。
7.根据权利要求6所述的基板处理装置,其特征在于,所述控制机构构成为将所述切换机构的打开/关闭状态作为参数设定文件而存储在存储机构内。
8.根据权利要求6所述的基板处理装置,其特征在于,所述控制机构构成为将设定所述切换机构的打开/关闭状态的设定画面显示在显示机构上。
9.根据权利要求5所述的基板处理装置,其特征在于,所述控制机构构成为在所述切换机构为打开设定的情况下选择并执行所述空气模式,并且在所述闸阀为打开的状态下将所述基板保持件从所述移载室搬送至所述处理室。
10.根据权利要求5所述的基板处理装置,其特征在于,所述控制机构构成为在所述切换机构为打开设定的情况下选择并执行所述空气模式,并且在所述闸阀为关闭的状态下将所述移载室的气体环境从非活性气体环境更换成空气环境。
11.根据权利要求4所述的基板处理装置,其特征在于,所述控制机构构成为在进行所述装载时及进行所述卸载时所述切换机构为打开设定的情况下选择并执行所述空气模式,并且从将所述基板载置到所述基板保持件上的工序到将所述基板从所述基板保持件取出的工序为止一直将所述闸阀设为打开的状态。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造