[发明专利]一种光敏元件及制作方法、指纹识别器件、显示装置

说明书

本发明公开了一种光敏元件及制作方法、指纹识别器件、显示装置，以改善现有技术中的光敏元件存在检测速率较低，检测信号较弱的问题。所述光敏元件，包括依次位于衬底基板一面的：第一电极、纳米线层和第二电极；所述纳米线层包括多个纳米线，至少部分所述纳米线的延伸方向垂直于所述第一电极所在的平面。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种光敏元件及制作方法、指纹识别器件、显示装置。

背景技术

现有技术常用的光学指纹传感器采用的是aSi:H材料作为光敏单元进行光电转换。但是固体硅膜(aSi:H材料)存在一定的劣势如载流子迁移率低，光反射率较高等。进而使制成的光敏元件检测速率较低，检测信号较弱。

发明内容

本发明提供一种光敏元件及制作方法、指纹识别器件、显示装置，以改善现有技术中的光敏元件存在检测速率较低，检测信号较弱的问题。

本发明实施例提供一种光敏元件，包括依次位于衬底基板一面的：第一电极、纳米线层和第二电极；所述纳米线层包括多个纳米线，至少部分所述纳米线的延伸方向垂直于所述第一电极所在的平面。

在一种可能的实施方式中，所述纳米线层为单层，至少部分所述纳米线的两端分别与所述第一电极以及所述第二电极对应接触。

在一种可能的实施方式中，所述纳米线层为双层，分别为第一纳米线层以及第二纳米线层，所述第一纳米线层位于所述第二纳米线层的面向所述第一电极的一面，所述第一纳米线层的至少部分所述纳米线与所述第二纳米线层的至少部分所述纳米线对应接触。

在一种可能的实施方式中，所述纳米线的材料为砷化镓。

在一种可能的实施方式中，所述纳米线的长度为0.85微米～1.15微米。

本发明实施例还提供一种指纹识别器件，包括多个如本发明实施例提供的所述光敏元件，还包括位于所述衬底基板的面向所述光敏元件一面的多个第一薄膜晶体管，多个所述光敏元件呈阵列分布。

在一种可能的实施方式中，所述第一薄膜晶体管包括漏极，所述漏极复用作所述第一电极。

本发明实施例还提供一种显示装置，包括显示面板，以及如本发明实施例提供的所述指纹识别器件。

在一种可能的实施方式中，所述显示面板包括显示层，所述显示层具有显示面以及与所述显示面相背的非显示面，所述指纹识别器件位于所述显示层的所述非显示面；

所述显示层包括多个呈阵列分布的像素单元，每一所述光敏元件对应多个所述像素单元，所述光敏元件接收经相邻所述像素单元之间的间隙透过的光。

在一种可能的实施方式中，所述指纹识别器件与所述显示面板之间还具有光路准直层。

在一种可能的实施方式中，还包括填充于相邻所述光敏元件之间间隙处的填充物。

在一种可能的实施方式中，所述指纹识别器件集成于所述显示面板内；

所述显示面板包括多个呈阵列分布的像素单元，所述光敏元件在所述衬底基板上的正投影位于相邻两个所述像素单元在所述衬底基板的正投影之间。

本发明实施例还提供一种如本发明实施例提供的所述光敏元件的制作方法，所述制作方法包括：

在衬底基板的一面形成第一电极；

在所述第一电极的背离所述衬底基板的一面形成纳米线层；

在所述纳米线层的背离所述第一电极的一面形成第二电极。

在一种可能的实施方式中，所述在所述第一电极的背离所述衬底基板的一面形成纳米线层，包括：