[发明专利]一种HJT电池双层透明导电氧化物薄膜的制备方法

权利要求书

1.一种HJT电池双层透明导电氧化物薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

S1、采用磁控溅射技术于压强为0.8Pa～2Pa下在N型硅片背光面的N型掺杂非晶硅层和受光面的P型掺杂非晶硅层上分别沉积第一透明导电氧化物薄膜层；

S2、采用磁控溅射技术于压强为0.1Pa～0.8Pa下在N型硅片背光面和受光面的第一透明导电氧化物薄膜层上分别沉积第二透明导电氧化物薄膜层，完成对HJT电池双层透明导电氧化物薄膜的制备。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述步骤S1中，所述第一透明导电氧化物薄膜层的厚度为5nm～20nm。

3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述步骤S1中，所述第一透明导电氧化物薄膜层为氧化铟锡、氧化铟掺钨、氧化铟掺钼、氧化锌中的其中一种。

4.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，所述步骤S2中，所述第二透明导电氧化物薄膜层的厚度为50nm～100nm。

5.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，所述步骤S2中，所述第二透明导电氧化物薄膜层为氧化铟锡、氧化铟掺钨、氧化铟掺钼、氧化锌中的其中一种。

6.根据权利要求1～5中任一项所述的制备方法，其特征在于，所述步骤S1中，所述沉积过程中通过控制氧气和氩气的流量调控反应体系的压强；所述氧气和氩气的流量比为0.5～4∶100；所述氧气的流量为2sccm～25sccm；所述氩气的流量为400sccm～600sccm。

7.根据权利要求1～5中任一项所述的制备方法，其特征在于，所述步骤S2中，所述沉积过程中通过控制氧气和氩气的流量调控反应体系的压强；所述氧气和氩气的流量比为0.5～4∶100；所述氧气的流量为2sccm～16sccm；所述氩气的流量为300sccm～400sccm。