[发明专利]一种金属栅线的制备方法

权利要求书

1.一种金属栅线的制备方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：

提供待互联的太阳能电池芯片，其中，所述电池芯片包括柔性衬底和设置在所述柔性衬底一侧的透明导电膜层；

在所述透明导电膜层的上表面压覆宽度大于所述电池芯片宽度的离型膜；

根据设定的栅线图案，对所述离型膜进行激光烧蚀，在所述离型膜上形成具有贯穿所述离型膜厚度的第一沟槽的栅线图案；

穿过所述第一沟槽对所述透明导电膜层进行刻划，在所述透明导电膜层上形成第二沟槽，所述第二沟槽和与所述透明导电膜层正对的离型膜上的第一沟槽共线对齐且相连通；

在所述第一沟槽和第二沟槽中同步沉积金属层，形成具有设定栅线图案的金属栅线。

2.根据权利要求1所述的金属栅线的制备方法，其特征在于，所述离型膜选择PE离型膜、PET离型膜、PP离型膜、MOPP离型膜中的一种。

3.根据权利要求2所述的金属栅线的制备方法，其特征在于，所述离型膜的厚度为25μm～150μm。

4.根据权利要求1所述的金属栅线的制备方法，其特征在于，所述离型膜的宽度超出所述电池芯片的宽度1cm～2cm。

5.根据权利要求1所述的金属栅线的制备方法，其特征在于，在形成具有贯穿所述离型膜厚度的第一沟槽的栅线图案之前，还包括以下步骤：

使用固定夹具将所述离型膜的周缘固定住，使整个所述离型膜牢固地压覆在所述透明导电膜层上。

6.根据权利要求1所述的金属栅线的制备方法，其特征在于，采用磁控溅射或蒸发工艺在所述第一沟槽和第二沟槽中同步沉积金属层。

7.根据权利要求1所述的金属栅线的制备方法，其特征在于，所述第二沟槽的槽宽小于等于所述第一沟槽的槽宽，所述第二沟槽的深度小于等于所述透明导电膜层的厚度。

8.根据权利要求1或7所述的金属栅线的制备方法，其特征在于，所述第一沟槽和所述第二沟槽的槽宽分别为20μm～100μm。

9.根据权利要求1所述的金属栅线的制备方法，其特征在于，所述离型膜上形成多个第一沟槽，每个第一沟槽为闭合槽，多个第一沟槽平行且等间距设置；或

所述离型膜上形成的栅线图案为连续的“S”形。

10.根据权利要求1所述的金属栅线的制备方法，其特征在于，在形成具有设定栅线图案的金属栅线之后，还包括以下步骤：

去除压覆的离型膜。