[发明专利]一种光伏电池的刻蚀方法

说明书

本发明公开了一种光伏电池的刻蚀方法，包括如下步骤：提供待刻蚀光伏电池，所述待刻蚀光伏电池包括铝层和N层，所述铝层和N层的界面之间存在Al‑Si的过渡层；采用反应离子刻蚀技术，通过加大刻蚀功率和提高刻蚀气体流量，去除所述过渡层。本发明中，采用反应离子刻蚀技术，通过加大刻蚀功率和提高刻蚀气体流量，加强物理刻蚀作用，去除金属与半导体结合的过渡层，以达到刻蚀PIN功能层的目的；本发明不用更换现有的刻蚀气体，也不用更换设备就能解决金属与半导体物质混合的过渡层，能够有效地缩短生产周期，提高生产效率，节省生产成本。

技术领域

本发明涉及半导体工艺技术领域，特别是涉及了一种光伏电池的刻蚀方法。

背景技术

能源是人类社会发展的动力，是国民经济发展和人民生活水平提高的重要物质基础，随着石油、煤、天然气等不可再生能源的消耗，人们把需求的目光投向了可再生能源，如风能、太阳能、水能、生物能等，希望通过对这些可再生能源的开发利用，解决日益严重的能源危机问题，太阳能是应用较为广泛的一种可再生、洁净能源，是全球普遍推广的环保能源，与煤、石油及核能相比，它具有独特的优点：一是不污染环境；二是没有地域和资源的限制；三是能源没有限制。因此，太阳能的有效利用己经成为人类的共识。光伏发电是直接利用太阳的辐射能转换为电能的一种太阳能利用手段，目前，在太阳能光伏应用中，硅基太阳能电池的研究和开发得到了广泛的重视，占领了90%的光伏市场，是当今光伏市场的主流。

目前，光伏电池由上侧沉积有导电膜的玻璃、PIN功能层、铝层自下而上依次层叠而成，PIN功能层包括自下而上依次层叠布置的P层、I层、N层，P层与导电膜接触，N层与铝层接触。发明人在实践中发现，在铝层刻蚀完成后，在刻蚀PIN功能层时，几乎没有刻蚀掉任何a-si，即使延长刻蚀时间，发现仍然刻蚀不动。发明人经过研究发现，N层与铝层接触，铝会渗透到a-si中，形成Al-Si的过渡层，由于该过渡层硬度高、化学性质稳定，采用现有的干法刻蚀工艺无法刻蚀掉PIN功能层。

因此，需要提供一种新的光伏电池的刻蚀方法，来解决由于铝渗透进a-si中导致PIN功能层难以刻蚀的问题。

发明内容

为了弥补已有技术的缺陷，本发明提供一种光伏电池的刻蚀方法。

本发明所要解决的技术问题通过以下技术方案予以实现：

一种光伏电池的刻蚀方法，包括如下步骤：

提供待刻蚀光伏电池，所述待刻蚀光伏电池包括铝层和N层，所述铝层和N层的界面之间存在Al-Si的过渡层；

采用反应离子刻蚀技术，通过加大刻蚀功率和提高刻蚀气体流量，去除所述过渡层。

进一步地，所述待刻蚀光伏电池由上侧沉积有导电膜的玻璃、功能层、铝层自下而上依次层叠而成，功能层包括自下而上依次层叠布置的P层、I层、N层，P层与导电膜接触，N层与铝层接触；所述铝层和N层的界面之间存在Al-Si的过渡层。

进一步地，所述P层的材料为掺杂B元素和C元素的a-Si；所述N层的材料为掺杂P元素的a-Si；所述I层的材料为未掺杂元素的a-Si。

进一步地，所述反应离子刻蚀技术采用RIE刻蚀设备，在所述RIE刻蚀设备的制程允许范围内，加大刻蚀功率和提高刻蚀气体流量。

进一步地，所述刻蚀气体为氯气和六氟化硫。

本发明具有如下有益效果：

本发明中，采用反应离子刻蚀技术，通过加大刻蚀功率和提高刻蚀气体流量，加强物理刻蚀作用，去除金属与半导体结合的过渡层，以达到刻蚀PIN功能层的目的；本发明不用更换现有的刻蚀气体，也不用更换设备就能解决金属与半导体物质混合的过渡层，能够有效地缩短生产周期，提高生产效率，节省生产成本。

具体实施方式