[发明专利]IGBT模块内部的自制冷方法及装置

权利要求书

1.一种IGBT模块内部的自制冷方法，其特征在于，包括：

通过m对导线组成IGBT模块内部结构电流回路，所述m对导线作为负载导线、控制器导线或其他IGBT模块电路导线接入IGBT模块内部结构回路，所述m对导线由至少两种不同的材料组成，材料包括金属、合金和半导体中的任意一种材料；

控制IGBT工作电流定向通过所述电流回路，使所述m对导线对在IGBT模块的内部吸热，并在所述IGBT模块的边缘放热，以将IGBT内部高温区的热量转移至IGBT模块表面。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，

所述m对导线的导线对接入的内部回路通定向直流电，且不同材料的接触位置为导线对节点。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，其中，

当所述导线对由两种材料组成时，定义导线对两种材料中塞贝克系数值较小的一方为第一N材料，塞贝克系数值较大的一方为第一P材料，其中，所述定向直流电通过所述导线对时，所述导线对在靠近IGBT模块内部高温区的节点电流由所述第一N材料流向所述第一P材料，所述节点吸热，在延伸至IGBT模块边缘的节点电流由所述第一P材料流向所述第一N材料，节点放热；

当所述导线对由多于两种材料组成时，定义导线对材料中塞贝克系数值最小的一方为第二N材料，塞贝克系数值最大的一方为第二P材料，其他塞贝克系数值居中的材料为C材料，其中，所述定向直流电通过所述导线对时，所述导线对在靠近IGBT模块内部高温区的节点，电流自第二N材料始，由塞贝克系数较小的材料流向塞贝克系数较大的材料，最终流向所述第二P材料，所述节点吸热，在延伸至IGBT模块边缘的节点，电流由所述第二P材料流向所述第二N材料，所述节点放热。

4.一种IGBT模块内部的自制冷装置，其特征在于，包括：

组成模块，用于通过m对导线组成IGBT模块内部结构电流回路，所述m对导线作为负载导线、控制器导线或其他IGBT模块电路导线接入IGBT模块内部结构回路，所述m对导线由至少两种不同的材料组成，材料包括金属、合金和半导体中的任意一种材料；

控制模块，控制IGBT工作电流定向通过所述电流回路，使所述m对导线对在IGBT模块的内部吸热，并在所述IGBT模块的边缘放热，以将IGBT内部高温区的热量转移至IGBT模块表面。

5.根据权利要求4所述的装置，其特征在于，

所述m对导线的导线对接入的内部回路通定向直流电，且不同材料的接触位置为导线对节点。

6.根据权利要求4所述的装置，其特征在于，其中，

当所述导线对由两种材料组成时，定义导线对两种材料中塞贝克系数值较小的一方为第一N材料，塞贝克系数值较大的一方为第一P材料，其中，所述定向直流电通过所述导线对时，所述导线对在靠近IGBT模块内部高温区的节点电流由所述第一N材料流向所述第一P材料，所述节点吸热，在延伸至IGBT模块边缘的节点电流由所述第一P材料流向所述第一N材料，节点放热；

当所述导线对由多于两种材料组成时，定义导线对材料中塞贝克系数值最小的一方为第二N材料，塞贝克系数值最大的一方为第二P材料，其他塞贝克系数值居中的材料为C材料，其中，所述定向直流电通过所述导线对时，所述导线对在靠近IGBT模块内部高温区的节点，电流自第二N材料始，由塞贝克系数较小的材料流向塞贝克系数较大的材料，最终流向所述第二P材料，所述节点吸热，在延伸至IGBT模块边缘的节点，电流由所述第二P材料流向所述第二N材料，所述节点放热。