[发明专利]一种BaZr0.35Ti0.65O3外延薄膜及其制备方法有效
| 申请号： | 201910556522.2 | 申请日： | 2019-06-25 |
| 公开（公告）号： | CN110257788B | 公开（公告）日： | 2020-08-18 |
| 发明（设计）人： | 马春蕊;刘明;乔文婧 | 申请（专利权）人： | 西安交通大学 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;C23C14/08 |
| 代理公司： | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人： | 李鹏威 |
| 地址： | 710049 *** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 bazr0 35 ti0 65 o3 外延 薄膜 及其 制备 方法 | ||
1.一种BaZr0.35Ti0.65O3外延薄膜，其特征在于，包括Nb:SrTiO3基片、BaZr0.35Ti0.65O3薄膜和掺杂了SiO2的BaZr0.35Ti0.65O3薄膜，BaZr0.35Ti0.65O3薄膜设置于Nb:SrTiO3基片表面，掺杂了SiO2的BaZr0.35Ti0.65O3薄膜设置于BaZr0.35Ti0.65O3薄膜表面；以质量百分数计，掺杂了SiO2的BaZr0.35Ti0.65O3薄膜中，SiO2的掺杂量为1％。
2.根据权利要求1所述的一种BaZr0.35Ti0.65O3外延薄膜，其特征在于，Nb:SrTiO3基片为(001)取向生长的单晶Nb:SrTiO3基片。
3.根据权利要求1所述的一种BaZr0.35Ti0.65O3外延薄膜，其特征在于，BaZr0.35Ti0.65O3薄膜和掺杂了SiO2的BaZr0.35Ti0.65O3薄膜的厚度相同，均为390～400nm。
4.一种制备BaZr0.35Ti0.65O3外延薄膜的方法，其特征在于，包括如下过程：
分别采用BaZr0.35Ti0.65O3陶瓷靶材和掺杂了SiO2的BaZr0.35Ti0.65O3陶瓷靶材，依次在Nb:SrTiO3基片表面通过磁控溅射制备BaZr0.35Ti0.65O3薄膜和掺杂了SiO2的BaZr0.35Ti0.65O3薄膜，得到所述BaZr0.35Ti0.65O3外延薄膜；
以质量百分数计，掺杂了SiO2的BaZr0.35Ti0.65O3薄膜中，SiO2的掺杂量为1％。
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