[发明专利]异质结太阳能电池及其组件、制备方法

说明书

本申请涉及一种异质结太阳能电池及其组件、制备方法。该异质结太阳能电池包括：在硅衬底正面依次形成的第一本征钝化层、第一掺杂层、正面透明导电层，以及在正面透明导电层上的正面金属电极；在硅衬底背面依次形成的第二本征钝化层、第二掺杂层、半透半反功能层，以及在半透半反功能层上的背面金属电极；半透半反功能层包括至少一层背面透明导电层和至少一层金属层，且与第二掺杂层接触的是背面透明导电层。本申请的功能层能够使得短波(700nm)透过率大于80％且长波(900nm)反射率大于60％，从而将正面入射透过异质结太阳能电池到达硅片背表面的长波段光进行再次反射利用，提升电池的短路电流密度，电池效率达到23％以上。

本申请要求申请日为2019年5月7日、申请号为201910377312.7，申请日为2019年5月8日、申请号为201910381102.5，申请日为2019年5月14日、申请号为201910400593.3的三个中国专利申请的优先权，上述三个优先权文件的全部内容通过引用结合在本申请中。

技术领域

本申请涉及光伏技术领域，尤其涉及一种异质结太阳能电池及其组件、制备方法。

背景技术

目前量产的高效硅太阳电池绝大多数采用的是厚度为150-200μm的单、多晶硅片，做成晶硅电池的转换效率为19-21％，如普通p型晶硅技术、p型PERC(Passivated Emitterand Rear Cell，钝化发射极背表面电池)技术和n型PERT(Passivated Emitter，RearTotally-diffused cell，钝化发射极背表面全扩散电池)技术等。这类电池目前是光伏市场的主流产品，占据整个应用市场的85％以上。

此外，光伏市场也有柔性太阳能电池产品。目前柔性太阳能电池技术主要有柔性衬底(不锈钢或者铝箔)的铜铟镓硒(CIGS)薄膜组件、碲化镉(CdTe)薄膜组件和砷化镓(GaAs)薄膜组件，其中CIGS和CdTe组件转换效率偏低，一般量产效率在13-18％；GaAs薄膜组件虽然效率较高，可超过30％，但其生产成本昂贵，无法大规模产业化。

发明内容

为了解决上述技术问题，本发明提供了一种异质结太阳能电池及其组件、制备方法，该异质结太阳能电池的光电转换效率大于23％，且制造成本优势明显，可实现量产。

第一方面，本申请一个实施例提供的具体技术方案如下：

一种异质结太阳能电池，包括：

在硅衬底正面依次形成的第一本征钝化层、第一掺杂层、正面透明导电层，以及在所述正面透明导电层上的正面金属电极；

在所述硅衬底背面依次形成的第二本征钝化层、第二掺杂层、半透半反功能层，以及在所述半透半反功能层上的背面金属电极；

其中，所述半透半反功能层包括至少一层背面透明导电层和至少一层金属层，且与所述第二掺杂层接触的是所述背面透明导电层。

第二方面，本申请另一个实施例提供的具体技术方案如下：

一种异质结太阳能电池的制备方法，包括如下步骤：

在硅衬底的正面形成第一本征钝化层，在所述第一本征钝化层上形成第一掺杂层；

在所述硅衬底的背面形成第二本征钝化层，在所述第二本征钝化层上形成第二掺杂层；

在所述第一掺杂层上形成正面透明导电层；

在所述第二掺杂层上形成半透半反功能层，其中所述半透半反功能层包括至少一层背面透明导电层和至少一层金属层，且与所述第二掺杂层接触的是所述背面透明导电层；

在所述正面透明导电层上形成正面金属电极，在所述半透半反功能层上形成背面金属电极。

第三方面，本申请又一个实施例提供的具体技术方案如下：