[发明专利]一种氯化亚铜中空立方体的制备方法在审
申请号: | 201910557868.4 | 申请日: | 2019-06-15 |
公开(公告)号: | CN110156065A | 公开(公告)日: | 2019-08-23 |
发明(设计)人: | 苗中正;高洁;蔡荣城 | 申请(专利权)人: | 盐城师范学院 |
主分类号: | C01G3/05 | 分类号: | C01G3/05 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 224000 江苏省盐城市希望*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 中空立方体 氯化亚铜 氯化铜溶液 制备 氯化亚铜晶体 铜箔 工业化批量生产 乙醇混合溶剂 薄膜表面 反复利用 界面反应 均匀涂覆 快速制备 去离子水 形貌可控 乙醇清洗 调控剂 稀盐酸 溶剂 刮除 烘干 局限 节约 | ||
1.一种氯化亚铜中空立方体的制备方法,包括如下步骤:
(1)采用水与乙醇混合溶剂作为氯化铜溶液的溶剂,得到浓度范围为0.01-1mol/L的氯化铜溶液,向氯化铜溶液中添加稀盐酸作为调控剂;
(2)在温度为60-90℃下将氯化铜溶液涂覆于铜箔表面,氯化铜溶液的添加量为0.5L/m2,反应快速发生,反应时间为0.1-600s,反应结束后用去离子水和乙醇清洗,干燥后置于惰性气体中保护。
2.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,步骤(1)中水与乙醇混合溶剂中水与乙醇的体积比为0.1∶1-10∶1。
3.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,步骤(1)中氯化铜溶液的浓度应处于氯化铜在溶剂中的饱和溶解度以内。
4.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,步骤(1)中稀盐酸质量分数为10%,添加稀盐酸溶液体积为氯化铜溶液体积的1-10%。
5.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,步骤(2)中所述氯化铜溶液涂覆于铜箔表面方法适用于滴涂、线棒涂膜法、喷涂法。
6.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,步骤(2)中所述铜箔适用于经过表面抛光处理的铜箔。
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