[发明专利]电压调控的二硒化铼纳米片太赫兹偏振调制器件

权利要求书

1.一种电压调控的二硒化铼纳米片太赫兹偏振调制器件，其特征是，包括：ReSe₂纳米片、附加电极、主动控制直流电源、线性偏振的THz源、THz二分之一波片；所述的ReSe₂纳米片为在玻璃基片上采用液相剥离方法或者化学气相沉积CVD方法制备，形成单分子层或者少分子层的结构，其平面内Re链的方向标记为a轴，自然节理面方向标记为b轴；所述的附加电极材料为掺锡氧化铟、金或银，沿a轴方向在ReSe₂纳米片两侧设置电极；

所述的主动控制直流电源在附加电极之间施加电控所需的直流电压与任意波形；

所述的线性偏振的THz源为任意THz发射器经过THz偏振器进行输出；

沿a轴方向在ReSe₂纳米片两侧设置电极；该器件垂直面向入射THz波方向放置，THz偏振器输出脉冲经过THz二分之一波片，后经过抛物面镜对的扩束、准直和聚焦，入射到ReSe₂纳米片，调整THz二分之一波片使入射THz波的线偏振方向与电极方向即ReSe₂纳米片a轴方向平行；通过ReSe₂纳米片出射的THz波，经过THz偏振器检偏出最大出射THz波，并由Golay-cell或THz时域频谱仪探测出射THz波功率或THz电场振幅或频谱；在主动电压调制过程中，采用主动控制直流电源，在ReSe₂纳米片电极之间施加调制所需的调制波形电压，通过改变ReSe₂纳米片中的载流子数量和流向，以及施加电压对ReSe₂分子束缚键应力的调制，实现对穿过ReSe₂纳米片的THz波偏振或强度的主动调制；如果在ReSe₂纳米片的电极之间施加正、负突变电压，即可实现最大调制度，后面加入与非门电路，即可实现THz开关器件。

2.如权利要求1所述的电压调控的二硒化铼纳米片太赫兹偏振调制器件，其特征是，采用探测器为THz功率探测器与THz时域频谱仪，检测经过ReSe₂纳米片电压调制后的THz强度、电场振幅和频谱。