[发明专利]一种大豆植株受外源耐除草剂基因漂移的快速检测方法

权利要求书

1.一种大豆植株受外源耐除草剂基因漂移的快速检测方法，其特征在于，包括以下操作步骤：

(1)将待测大豆植株和阳性、阴性对照植株的叶片在叶柄处切断，其中大豆植株处于苗期时取中下部叶片，大豆植株处于花期后取倒二叶或倒三叶；

(2)将取得的叶片插入离心管中进行水培，阴性对照材料和阳性对照材料各取2份样品，一份用于不喷施除草剂作为空白对照，分别标记CK1和CK2；一份用于喷施除草剂后作为阴性和阳性对照，分别标记CK3和CK4；

(3)将装有水培叶片的离心管置于温室中培养1.5-2.5小时后，对待测水培叶片、CK3和CK4叶片喷施除草剂，CK1和CK2叶片为空白对照，不喷施除草剂；

(4)3-4天后观察，未喷施除草剂的空白对照叶片生长完好，喷施除草剂水培叶片中，开始出现黄叶萎蔫情况的水培叶片为未受外源耐除草剂基因遗传漂移的材料的水培叶片，与空白对照一致的水培叶片为受外源耐除草剂基因遗传漂移污染的水培叶片；

(5)5-7天后观察，未喷施除草剂的空白对照叶片生长完好，喷施除草剂水培叶片中，萎蔫致死的水培叶片为未受外源除草剂基因遗传漂移的水培叶片，与空白对照一致、可正常存活的的水培叶片为受外源耐除草剂基因遗传漂移污染的水培叶片；

(6)记录检测结果，查找田间对应的受外源耐除草剂基因遗传漂移污染的植株，拔除销毁。

2.根据权利要求1所述的一种大豆植株受外源耐除草剂基因漂移的快速检测方法，其特征在于，上述步骤(3)温室的具体环境为：温度24-26℃，光照强度为2500-3000Lx。

3.根据权利要求1所述的一种大豆植株受外源耐除草剂基因漂移的快速检测方法，其特征在于，上述步骤(3)中，温室培养时，遇到水培叶片出现失水造成的叶片萎蔫情况时，重新选取叶片进行检测。

4.根据权利要求1所述的一种大豆植株受外源耐除草剂基因漂移的快速检测方法，其特征在于，上述步骤(4)和步骤(5)中，喷施除草剂时除草剂的类型和喷施剂量根据需检测基因漂移情况的基因功能决定。