[发明专利]一种掩膜版及其制作方法

说明书

本申请涉及一种掩膜版及其制作方法，该掩膜版包括：基底，基底包括半透光区域；位于半透光区域上的半透光层，半透光层的材质为半导体材料，用于吸收具有预设波长的光。通过这种方式，能够实现掩膜版半透光区域对曝光光线的选择性吸收，进而避免制作薄膜晶体管时半透光区域对应的光阻曝光均一性较差的问题，提高制作出的阵列基板的品质。

【技术领域】

本申请涉及显示技术领域，具体涉及一种掩膜版及其制作方法。

【背景技术】

在制作薄膜晶体管时，为了减少掩膜版的使用数量，通常会采用半色调掩膜版，以通过一次曝光显影工艺在基板膜层上形成两种不同的光阻膜厚，进而通过两次刻蚀工艺形成不同图案，能够节省工艺成本，并提高生产效率。

目前，半色调掩膜版包括遮光区域、半透光区域和完全透光区域，且半透光区域上采用的半透光材料为金属铬。具体地，半色调掩膜版主要利用半透光区域上铬膜的半透光特性，进行曝光以形成上述两种不同的光阻膜厚。

但是，在进行曝光时，由于上述铬膜对曝光光线的吸收是全波段的、没有选择性的，导致制作薄膜晶体管时半透光区域对应的光阻曝光均一性较差，影响制作出的阵列基板的品质。

【发明内容】

本申请的目的在于提供一种掩膜版及其制作方法，以避免由于掩膜版半透光区域对曝光光线没有选择性地吸收，而导致制作薄膜晶体管时半透光区域对应的光阻曝光均一性较差的问题，进而提高制作出的阵列基板的品质。

为了解决上述问题，本申请实施例提供了一种掩膜版，该掩膜版包括：基底，基底包括半透光区域；位于半透光区域上的半透光层，半透光层的材质为半导体材料，用于吸收具有预设波长的光。

其中，半导体材料为二氧化钛、金属掺杂二氧化钛、氧化锌或金属硫化物掺杂氧化锌。

其中，金属掺杂二氧化钛中金属的掺杂比例范围为0～10％。

其中，金属掺杂二氧化钛中掺杂的金属包括钒、铬、锰、铁、钴、铌、钼或铑。

其中，金属硫化物掺杂氧化锌中掺杂的金属硫化物包括硫化镉和硫化锌。

其中，金属硫化物掺杂氧化锌中掺杂的硫化镉与硫化锌的摩尔比不大于1。

其中，半透光层的厚度范围为0.01～0.2毫米。

其中，基底还包括遮光区域和完全透光区域，半透光层位于遮光区域和半透光区域上，掩膜版还包括遮光层，遮光层覆盖半透光层且位于遮光区域上。

为了解决上述问题，本申请实施例还提供了一种掩膜版的制作方法，该掩膜版的制作方法包括：提供基底，基底包括半透光区域；在半透光区域上形成半透光层，半透光层的材质为半导体材料，用于吸收具有预设波长的光。

其中，基底还包括遮光区域和完全透光区域，半透光层位于遮光区域和半透光区域上，掩膜版还包括遮光层，遮光层覆盖半透光层且位于遮光区域上；在半透光区域上形成半透光层，具体包括：在基底上形成半透光材料层；在半透光材料层上形成遮光材料层；对遮光材料层和半透光材料层进行刻蚀，以分别得到图案化的遮光层和半透光层。

本申请的有益效果是：区别于现有技术，本申请提供的掩膜版包括基底、以及位于基底的半透光区域上的半透光层，其中，半透光层的材质为半导体材料，用于吸收具有预设波长的光，能够实现掩膜版半透光区域对曝光光线的选择性吸收，进而避免制作薄膜晶体管时半透光区域对应的光阻曝光均一性较差的问题，提高制作出的阵列基板的品质。

【附图说明】

为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。