[发明专利]薄膜晶体管的制造方法

权利要求书

1.一种薄膜晶体管的制造方法，其特征在于，包括：

工序(A)，准备表面形成有栅极和覆盖所述栅极的栅极绝缘层的基板；

工序(B)，在所述栅极绝缘层上形成由非晶硅构成的半导体膜；

工序(C)，通过在所述半导体膜上形成绝缘膜，图案化所述绝缘膜，以形成保护绝缘层，所述保护绝缘层覆盖所述半导体膜的第一部分及不覆盖所述半导体膜的第二部分，当从所述基板的法线方向看时，所述第一部分与所述保护绝缘层和所述栅极重叠，并且所述第二部分与所述栅极重叠但不与所述保护绝缘层重叠，所述第一部分包括成为沟道区域的区域；

工序(D)，在相同照射条件下，通过从所述保护绝缘层的上方用激光照射所述半导体膜的所述第一部分及所述第二部分，以使所述半导体膜的所述第一部分及所述第二部分结晶化，从而在从所述基板的法线方向看时，在与所述栅极重叠的区域中，所述半导体膜中的所述第一部分比所述半导体膜中的所述第二部分的结晶性低；以及

工序(E)，形成电连接到所述半导体膜中的所述第二部分的一部分的源极和电连接到所述半导体膜中的所述第二部分的另一部分的漏极。

2.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，

所述激光的波长为351nm，所述保护绝缘层是氧化硅层。

3.如权利要求1或2所述的制造方法，其特征在于，

在所述工序(D)中，仅对所述半导体膜的一部分照射所述激光使其结晶化，使所述半导体膜中未照射所述激光的部分保持非晶质。