[发明专利]磁控溅射原位制备具有择优取向AZO光电薄膜的方法在审
申请号: | 201910560070.5 | 申请日: | 2019-06-26 |
公开(公告)号: | CN110218972A | 公开(公告)日: | 2019-09-10 |
发明(设计)人: | 郑荣戌;刘红岩;王晓强;李明亚;余述劲;夏侯博文;陈坤;陈怡 | 申请(专利权)人: | 东北大学秦皇岛分校 |
主分类号: | C23C14/08 | 分类号: | C23C14/08;C23C14/35;H01L31/0216;H01L31/18 |
代理公司: | 沈阳东大知识产权代理有限公司 21109 | 代理人: | 梁焱 |
地址: | 066004 河北省秦*** | 国省代码: | 河北;13 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 磁控溅射 光电薄膜 择优取向 柔性衬底材料 氩气 原位制备 聚对萘二甲酸乙二醇酯 聚二甲基硅氧烷 简化制备工艺 热处理 电子玻璃 溅射电压 聚酰亚胺 室温条件 制备过程 抽真空 预溅射 真空室 靶材 对靶 加热 装入 清洗 保证 | ||
1.一种磁控溅射原位制备具有择优取向AZO光电薄膜的方法,其特征在于包括如下步骤:
(1)将基片进行表面处理;所述的基片材质为电子玻璃或柔性衬底材料,所述的柔性衬底材料选用聚乙烯对苯二酸酯、聚对萘二甲酸乙二醇酯、聚二甲基硅氧烷或聚酰亚胺;
(2)在射频磁控溅射设备上安装靶材,然后将表面处理后的基片装入射频磁控溅射设备的真空室;所述的靶材为AZO靶材,按质量百分比含Al2O32±0.5%,其余为ZnO;
(3)对真空室抽真空至8×10-4Pa以下,然后通入氩气,控制通入氩气的流量36~68sccm;通过调节射频磁控溅射设备的闸板阀,控制真空室内的氩气压力为0.8~1.2Pa,对靶材进行预溅射清洗,去除靶材表面的杂质,预溅射清洗时间5~15min;
(4)在室温条件下,调节溅射电压1.52~1.75kV,电流110~120mA,保持氩气的流通量为36~68sccm;开始磁控溅射,时间20~30min,在基片上制成具有择优取向AZO光电薄膜。
2.根据权利要求1所述的一种磁控溅射原位制备具有择优取向AZO光电薄膜的方法,其特征在于步骤(3)中,对真空室抽真空时,先抽真空至15Pa以下,再开启分子泵抽真空至8×10-4Pa以下。
3.根据权利要求1所述的一种磁控溅射原位制备具有择优取向AZO光电薄膜的方法,其特征在于步骤(1)中,表面处理是将基片依次置于丙酮、去离子水和无水乙醇中分别进行一次超声清洗,每次超声清洗的时间至少5min;最后取出用氮气吹干表面的无水乙醇。
4.根据权利要求1所述的一种磁控溅射原位制备具有择优取向AZO光电薄膜的方法,其特征在于步骤(4)中,射频磁控溅射设备的射频匹配器的自偏压范围设为0.16~0.24kV。
5.根据权利要求1所述的一种磁控溅射原位制备具有择优取向AZO光电薄膜的方法,其特征在于步骤(3)和(4)中,进行预溅射清洗和磁控溅射时的靶基距为60~80mm。
6.根据权利要求1所述的一种磁控溅射原位制备具有择优取向AZO光电薄膜的方法,其特征在于所述的具有择优取向AZO光电薄膜的厚度为590~1700nm,按质量百分比含Al 1.5~2.4%,Zn 80.60~82.40%,其余为O。
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