[发明专利]具有负栅极摆动能力的保护电路

权利要求书

1.一种电路，包括：

分流晶体管(205，305)，包括耦合到第一节点(115)的漏极、耦合到第二节点(120)的源极和耦合到第三节点(125)的栅极；

串联耦合的第一系列的一个或更多个钳位元件(210，215，220，225，310，315，320，325)、第一开关晶体管(230，330)和第一电阻元件(235，335)，其中所述第一系列的一个或更多个钳位元件(210，215，220，225，310，315，320，325)串联耦合在所述第一节点(115)和所述第三节点(125)之间，其中所述第一开关晶体管(230，330)包括耦合到所述第三节点(125)的漏极和沿着不包括所述第三节点(125)的所述第一系列的一个或更多个钳位元件(210，215，220，225，310，315，320，325)耦合的栅极，并且其中所述第一电阻元件(235，335)耦合在所述第一开关晶体管(230，330)的源极和所述第二节点(120)之间；以及

串联耦合的第二系列的一个或更多个钳位元件(240，245，250，255，340，345，350，355)、第二开关晶体管(260，360)和第二电阻元件(265，365)，其中所述第二系列的一个或更多个钳位元件(240，245，250，255，340，345，350，355)串联耦合在所述第二节点(120)和所述第三节点(125)之间，其中所述第二开关晶体管(260，360)包括耦合到所述第三节点(125)的漏极和沿着不包括所述第三节点(125)的所述第二系列的一个或更多个钳位元件(240，245，250，255，340，345，350，355)耦合的栅极，并且其中所述第二电阻元件(265，365)耦合在所述第二开关晶体管(260，360)的源极和所述第一节点(115)之间。

2.如权利要求1所述的电路，其中：

所述第一系列的一个或更多个钳位元件(210，215，220，225，310，315，320，325)包括串联耦合在所述第一和第三节点(115，125)之间的一个或更多个耦合二极管的晶体管；以及

所述第二系列的一个或更多个钳位元件(240，245，250，255，340，345，350，355)包括串联耦合在所述第二和第三节点(120，125)之间的一个或更多个耦合二极管的晶体管。

3.如权利要求2所述的电路，其中所述第一和第二系列的一个或更多个耦合二极管的晶体管(210，215，220，225，310，315，320，325，240，245，250，255，340，345，350，355)包括第一和第二系列的一个或更多个耦合二极管的高电子迁移率晶体管(HEMT)。

4.如权利要求3所述的电路，其中所述第一和第二系列的一个或更多个耦合二极管的HEMT包括第一和第二系列的一个或更多个耦合二极管的氮化镓(GaN)基的增强型HEMT。

5.如权利要求1所述的电路，其中所述分流晶体管(205，305)包括氮化镓(GaN)基的增强型HEMT。

6.如权利要求1所述的电路，其中所述第一和第二开关晶体管(230，330，260，360)包括氮化镓(GaN)基的增强型HEMT。

7.如权利要求1所述的电路，其中：

所述第一开关晶体管(230)的栅极耦合到所述第一节点(115)；以及

所述第二开关晶体管(260)的栅极耦合到所述第二节点(120)。

8.如权利要求1所述的电路，其中：

所述第一开关晶体管(330)的栅极耦合在所述第一系列的一个或更多个钳位元件(310，315，320，325)的第一钳位元件(310)和第二钳位元件(315)之间；以及

所述第二开关晶体管(360)的栅极耦合在所述第二系列的一个或更多个钳位元件(340，345，350，355)的第一钳位元件(340)和第二钳位元件(345)之间。