[发明专利]一种具有蛇形金属屏蔽结构的记录电极及制备工艺

权利要求书

1.一种具有蛇形金属屏蔽结构的记录电极，其特征在于，所述记录电极设有一层蛇形金属屏蔽层，所述蛇形金属屏蔽层位于电磁干扰源和金属电极层之间，所述蛇形金属屏蔽层接地，用于减弱电磁干扰；

所述记录电极还包括蛇形聚合物衬底层、蛇形聚合物中间绝缘层、蛇形金属电极层和蛇形聚合物封装层；其中，

所述蛇形聚合物衬底层位于最底层，所述蛇形聚合物中间绝缘层位于所述蛇形聚合物衬底层上方，所述蛇形聚合物中间绝缘层上方设有一层所述蛇形金属电极层，所述蛇形金属电极层的上方设有一层所述蛇形聚合物封装层；

所述蛇形金属屏蔽层设置于所述蛇形聚合物衬底层与所述蛇形聚合物中间绝缘层之间，且所述蛇形金属屏蔽层完全包裹于所述蛇形聚合物衬底层和所述蛇形聚合物中间绝缘层之间；

所述记录电极使用时植入动物体内，所述蛇形金属屏蔽层构采用弯曲蛇形结构，且与所述金属电极层形状完全一致，所述记录电极能应对动 物体内实际存在的形变工况。

2.根据权利要求1所述的一种具有蛇形金属屏蔽结构的记录电极，其特征在于，所述蛇形聚合物衬底层、所述蛇形聚合物中间绝缘层和所述蛇形聚合物封装层的材料采用聚酰亚胺、聚对二甲苯、对苯二甲酸乙二醇酯或SU-8负性光刻胶中任意一种。

3.根据权利要求2所述的一种具有蛇形金属屏蔽结构的记录电极，其特征在于，所述蛇形聚合物衬底层厚度为2～15μm；和/或，所述蛇形聚合物中间绝缘层厚度为2～15μm；和/或，所述蛇形聚合物封装层厚度为2～15μm。

4.一种权利要求1-3任一项中所述的一种具有蛇形金属屏蔽结构的记录电极的制备工艺，其特征在于，包括：

在基底上方旋涂一层光刻型聚合物柔性绝缘材料，并光刻图形化所述聚合物柔性绝缘材料，形成蛇形聚合物衬底层；

在所述蛇形聚合物衬底层上方先溅射一层种子层，再溅射一层金属层，之后在所述金属层上旋涂正性光刻胶，光刻图形化，再通过离子束刻蚀形成图形化蛇形金属屏蔽层；

在所述图形化蛇形金属屏蔽层上方旋涂一层光刻型聚合物柔性绝缘材料，并图形化聚合物柔性绝缘材料，形成蛇形聚合物中间绝缘层；

在所述蛇形聚合物中间绝缘层上方先溅射一层种子层，再溅射一层金属层，之后在所述金属层上旋涂正性光刻胶并光刻图形化，再通过离子束刻蚀形成图形化蛇形金属电极层；

在所述图形化蛇形金属电极层上方旋涂一层光刻型聚合物柔性绝缘材料，并光刻图形化聚合物柔性绝缘材料，形成图形化蛇形聚合物封装层，得到记录电极。

5.根据权利要求4所述的一种具有蛇形金属屏蔽结构的记录电极的制备工艺，其特征在于，

-在基底上方旋涂一层光刻型聚合物柔性绝缘材料之前，还包括先在所述基底上方热蒸发或溅射一层金属释放层，作为后续结构的最后释放层；所述金属释放层位于所述基底与所述蛇形聚合物衬底层之间；

-在完成所述蛇形聚合物封装层制备之后，还包括再腐蚀所述金属释放层，完成电极释放。

6.根据权利要求5所述的一种具有蛇形金属屏蔽结构的记录电极的制备工艺，其特征在于，所述金属释放层的金属材料采用铝、铬或铜；所述金属释放层的厚度为200～1000nm。

7.根据权利要求4所述的一种具有蛇形金属屏蔽结构的记录电极的制备工艺，其特征在于，所述蛇形聚合物衬底层、所述蛇形聚合物中间绝缘层和所述蛇形聚合物封装层，厚度均为2～15μm；所述聚合物柔性绝缘材料采用聚酰亚胺、聚对二甲苯、对苯二甲酸乙二醇酯或SU-8负性光刻胶中任意一种。

8.根据权利要求4所述的一种具有蛇形金属屏蔽结构的记录电极的制备工艺，其特征在于，

所述种子层采用铬，所述种子层厚度为10～50nm；

所述金属层采用金，所述金属层厚度为100～500nm。

9.一种可拉伸柔性光电电极，其特征在于，包括权利要求1-3所述的具有蛇形金属屏蔽结构的记录电极。