[发明专利]一种ZnO纳米带及其制备方法

权利要求书

1.一种ZnO纳米带，其特征在于：包括玻璃衬底、以及分布在玻璃衬底上的ZnO纳米带层，所述的ZnO纳米带层的宽度为160-300nm。

2.根据权利要求1所述的ZnO纳米带，其特征在于：所述的玻璃衬底的尺寸为2*2cm-4英寸。

3.一种用于制备权利要求1或2所述的ZnO纳米带的方法，其特征自安于，包括以下步骤：S1)、清洗玻璃衬底，采用乙醇、去离子水超声波清洗玻璃3-5次，并采用气枪吹干；

S2)、前驱体薄膜的制备，将清洗干净的玻璃衬底转移到高真空镀膜设备当中，并在钨舟上均匀放置ZnO粉末，接着将气压抽到小于或者等于5×10^-3Pa；然后在5-10min以内缓慢的将蒸发电流升至100-140A，蒸镀10-20min，即可在玻璃衬底上获得非晶态的ZnO前驱体薄膜；

S3)、高温退火，将制备好的前驱体薄膜转移到退火炉当中，以4-10℃/分钟的速率升温至500-600℃，保温60-120分钟，即可在玻璃上获得均匀分布的ZnO纳米带。

4.根据权利要求3所述的ZnO纳米带的制备方法，其特征在于：步骤S1)中，所述的玻璃衬底的尺寸为2*2cm-4英寸。

5.根据权利要求3所述的ZnO纳米带的制备方法，其特征在于：步骤S2)中，所述ZnO粉末的纯度大于99.9％。

6.根据权利要求3所述的ZnO纳米带的制备方法，其特征在于：步骤S3)中，所述的ZnO纳米带的宽度为160-300nm。

7.一种利用权利要求3-6所述方法制备的ZnO纳米带的应用，其特征在于：所述的ZnO纳米带主要应用于光催化降解、气敏探测器。