[发明专利]银薄膜蚀刻液组合物及利用其的蚀刻方法和金属图案的形成方法

权利要求书

1.一种银薄膜蚀刻液组合物，其用于防止下部膜损伤，所述银薄膜蚀刻液组合物的特征在于，相对于组合物总重量,包含：

(A)硝酸7～15重量％；

(B-1)碳原子数1～3的烷基磺酸3～8重量％；

(B-2)烷基磺酸以外的有机酸25～65重量％；

(C)有机酸的盐0.1～7重量％；

(D)硫酸盐5～25重量％；及

(E)水，

所述(D)硫酸盐包含选自由硫酸氢钾、硫酸氢钠和硫酸镁组成的组中的一种以上，

所述(B-1)碳原子数1～3的烷基磺酸为甲磺酸，

所述(B-2)烷基磺酸以外的有机酸包含选自由乙酸、柠檬酸、丙二酸、丁酸、甲酸、葡萄糖酸、乙醇酸、草酸、戊酸、磺基苯甲酸、磺基琥珀酸、磺基邻苯二甲酸、水杨酸、磺基水杨酸、苯甲酸、乳酸、甘油酸、琥珀酸、苹果酸、酒石酸、异柠檬酸、丙烯酸、亚氨基二乙酸和乙二胺四乙酸组成的组中的两种以上，

所述(C)有机酸的盐包含选自由乙酸盐、柠檬酸盐、乙醇酸盐、丙二酸盐、乳酸盐和酒石酸盐组成的组中的一种以上。

2.根据权利要求1所述的银薄膜蚀刻液组合物，其特征在于，所述(B-2)烷基磺酸以外的有机酸包含乙酸和柠檬酸。

3.根据权利要求1所述的银薄膜蚀刻液组合物，其特征在于，所述(B-2)烷基磺酸以外的有机酸的含量为45～60重量％。

4.根据权利要求1所述的银薄膜蚀刻液组合物，其特征在于，所述(C)有机酸的盐为有机酸的金属盐。

5.根据权利要求4所述的银薄膜蚀刻液组合物，其特征在于，所述(C)有机酸的盐为选自由有机酸的钾盐、有机酸的镁盐和有机酸的钠盐组成的组中的一种以上。

6.根据权利要求1所述的银薄膜蚀刻液组合物，其特征在于，所述银薄膜蚀刻液组合物既能够蚀刻由银或银合金形成的单层膜，又能够蚀刻由所述单层膜和透明导电膜构成的多层膜。

7.根据权利要求6所述的银薄膜蚀刻液组合物，其特征在于，所述透明导电膜为选自由氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化铟锡锌(ITZO)和氧化铟镓锌(IGZO)组成的组中的一种以上。

8.根据权利要求6所述的银薄膜蚀刻液组合物，其特征在于，所述多层膜包含由透明导电膜/银、透明导电膜/银合金、透明导电膜/银/透明导电膜或透明导电膜/银合金/透明导电膜形成的多层膜。

9.一种蚀刻方法，其包括：

在基板上形成由银或银合金形成的单层膜、或由所述单层膜和透明导电膜构成的多层膜的步骤；

在所述单层膜或所述多层膜上选择性留下光反应物质的步骤；及

使用权利要求1～8中任一项所述的银薄膜蚀刻液组合物蚀刻所述单层膜或所述多层膜的步骤。

10.一种金属图案的形成方法，其包括：

在基板上形成由银或银合金形成的单层膜、或由所述单层膜和透明导电膜构成的多层膜的步骤；及

使用权利要求1～8中任一项所述的银薄膜蚀刻液组合物蚀刻所述单层膜或所述多层膜的步骤。