[发明专利]发光器件封装件、包括其的显示装置及其制造方法在审
申请号: | 201910560832.1 | 申请日: | 2019-06-26 |
公开(公告)号: | CN110649049A | 公开(公告)日: | 2020-01-03 |
发明(设计)人: | 李东建;金柱成;徐钟旭;卓泳助 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H01L27/32;G06K9/00 |
代理公司: | 11112 北京天昊联合知识产权代理有限公司 | 代理人: | 赵南;张青 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 发光器件封装 开口 衬底 光电转换区 第二表面 第一表面 发光结构 竖直 图像传感器 显示装置 发射 制造 | ||
1.一种发光器件封装件,包括:
衬底,其具有第一表面和第二表面,并且具有彼此间隔开的第一开口和第二开口;
发光结构,其布置在所述衬底的第一表面上并且与所述第一开口竖直地重叠;以及
图像传感器,其包括光电转换区,所述光电转换区布置在衬底中,并且与所述第二开口竖直地重叠,
其中,来自所述发光结构的光通过所述第一开口朝着所述衬底的第二表面发射。
2.根据权利要求1所述的发光器件封装件,其中,所述图像传感器被构造为基于从所述发光结构发射的光来感测通过所述衬底上的对象反射的光。
3.根据权利要求1所述的发光器件封装件,其中,所述衬底包括通过所述第二开口的内壁限定的光导部分,并且
其中,所述光导部分提供光路径,入射至所述第二开口的光通过所述光路径到达所述光电转换区。
4.根据权利要求1所述的发光器件封装件,其中,所述第一开口穿过所述衬底,并且所述第二开口从所述衬底的第二表面延伸至所述衬底内部。
5.根据权利要求1所述的发光器件封装件,还包括:
波长转换层,其填充所述第一开口;以及
光导绝缘层,其填充所述第二开口,并且所述光导绝缘层的上表面与所述波长转换层的上表面共面。
6.根据权利要求1所述的发光器件封装件,其中,所述衬底包括半导体衬底和布置在所述半导体衬底的上表面上的外延半导体层,并且
其中,所述发光结构布置在所述外延半导体层的上表面上,并且所述光电转换区布置在所述外延半导体层内部。
7.根据权利要求6所述的发光器件封装件,其中,所述第一开口穿过所述半导体衬底和所述外延半导体层二者,并且
其中,所述第二开口穿过所述半导体衬底,并且延伸至所述外延半导体层内部,并且所述光电转换区布置在所述第二开口的底部以下。
8.根据权利要求6所述的发光器件封装件,其中,所述半导体衬底包括硅衬底,所述外延半导体层包括硅,并且所述发光结构包括按次序布置在所述外延半导体层上的第一导电类型的半导体层、有源层和第二导电类型的半导体层。
9.根据权利要求1所述的发光器件封装件,还包括:
布置在所述衬底中并且电连接至所述发光结构的开关,所述开关被构造为驱动所述发光结构。
10.一种显示装置,其包括显示区域和与所述显示区域的至少一部分重叠的指纹感测区域,
其中,所述指纹感测区域包括根据权利要求1所述的发光器件封装件,并且
其中,所述图像传感器被构造为基于从所述发光结构发射的光感测通过衬底上的对象反射的光。
11.根据权利要求10所述的显示装置,其中,所述指纹感测区域包括多个像素,
其中,所述多个像素中的每一个包括第一子像素、第二子像素和第三子像素,并且
其中,所述第一子像素中的第一发光结构、所述第二子像素中的第二发光结构和所述第三子像素中的第三发光结构彼此间隔开,并且所述第一子像素至所述第三子像素中的至少一个包括所述图像传感器。
12.根据权利要求11所述的显示装置,其中,所述第一子像素至所述第三子像素分别包括第一图像传感器、第二图像传感器和第三图像传感器,并且
其中,所述第一图像传感器和所述第一发光结构在所述第一子像素中水平地布置。
13.一种显示装置,其包括多个像素,其中,所述多个像素中的至少一个包括根据权利要求1所述的发光器件封装件,并且
其中,所述图像传感器被构造为基于从所述发光结构发射的光感测通过所述衬底上的对象反射的光。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的