[发明专利]薄膜厚度的测量方法及装置

权利要求书

1.一种薄膜厚度的测量方法，其特征在于，包括如下步骤：

获得校准参数的步骤：

采用第一测量方法测量参考样品的薄膜层的厚度，得到所述参考样品的薄膜层的第一厚度；

采用第二测量方法测量所述参考样品的薄膜层的厚度，得到所述参考样品的薄膜层的第二厚度；

将所述第一厚度与所述第二厚度进行比较，得到所述校准参数；

获得待测样品的薄膜层的厚度步骤：

采用所述第一测量方法测量待测样品的薄膜层的初始厚度，所述待测样品与所述参考样品为同类型样品；

采用所述校准参数对所述初始厚度进行校准，得到该待测样品的薄膜层的厚度。

2.根据权利要求1所述的薄膜厚度的测量方法，其特征在于，在所述参考样品上选取多个测量点，获得校准参数的步骤进一步包括如下步骤：

采用第一测量方法测量所述参考样品的薄膜层在测量点处的厚度，得到所述参考样品的薄膜层在测量点处的第一厚度；

采用第二测量方法测量所述参考样品的薄膜层在测量点处的厚度，得到所述参考样品的薄膜层在测量点处的第二厚度；

将所述第一厚度与所述第二厚度进行比较，得到初始参数；

将多个初始参数进行标准化，得到所述校准参数。

3.根据权利要求2所述的薄膜厚度的测量方法，其特征在于，所述待测样品与所述参考样品具有相同的测量点，获得待测样品的薄膜层的厚度的步骤进一步包括如下步骤：

采用所述第一测量方法测量所述待测样品的薄膜层在测量点处的初始厚度；

采用所述校准参数对所述初始厚度进行校准，得到该待测样品的薄膜层在测量点处的厚度。

4.根据权利要求1所述的薄膜厚度的测量方法，其特征在于，所述参考样品及所述待测样品均包括多层交替设置的薄膜层。

5.根据权利要求4所述的薄膜厚度的测量方法，其特征在于，多层交替设置的薄膜层的总厚度小于10纳米。

6.根据权利要求1所述的薄膜厚度的测量方法，其特征在于，所述参考样品及所述待测样品均包括一层薄膜层，所述薄膜层的厚度小于10纳米。

7.根据权利要求1～6任意一项所述的薄膜厚度的测量方法，其特征在于，所述第一测量方法是椭圆偏振法，所述第二测量方法是X射线光电子能谱分析方法。

8.一种实现权利要求1～7任意一项所述的测量方法的测量装置，其特征在于，包括：

样品承载台，参考样品及待测样品能够放置在所述样品承载台上；

第一测量组件，能够实现第一测量方法；

第二测量组件，能够实现第二测量方法；

比较模块，用于将所述第一测量组件的测量结果与第二测量组件的测量结果进行比较，以得到校准参数；

校准模块，利用所述校准参数对所述第一测量组件的测量结果进行校准。

9.根据权利要求8所述的测量装置，其特征在于，所述第一测量方法是椭圆偏振法，所述第一测量组件包括：

光源，设置在所述样品承载台上方，能够产生一线偏振光；

探测器，能够接收并检测所述参考样品或所述待测样品的反射光的光强；

处理器，与所述探测器电连接，接收所述探测器的信号并转换为所述参考样品或所述待测样品的薄膜层的厚度，所述参考样品或所述待测样品的薄膜层的厚度为所述第一测量组件的测量结果。

10.根据权利要求8所述的测量装置，其特征在于，所述第二测量方法是X射线光电子能谱分析方法，所述第二测量组件包括：

X射线源，设置在所述样品承载台上方，能够产生预设波段的X射线；

磁谱仪，设置在所述参考样品下方，用于汇聚X射线产生的光电子；

分析仪，能够获取所述光电子，并根据所述光电子信息得到所述参考样品的薄膜层的厚度，所述参考样品的薄膜层的厚度为所述第二测量组件的测量结果。